关键词：tms320c54x flash 烧写 自举引导

在dsp系统中通常贴片式flash存储器保存程序，并且在上电或复位时再将存储在flash中的程序搬移到dsp片内或者片外的ram中全速运行。这个“程序搬移”的过程叫做自举加载。

本文以tms320c5416 dsp对mbm29lv400bc存储器的操作为例，详细阐述了在线烧写flash并实现自举加载的方法。该方法适合于大多数c54x系列dsp对符合jedec标准的flash的操作。为便于读者使用，本文的程序全部采用c语言编写。

1 tms320c5416与mbm29lv400bc的硬件接口

mbm29lv400bc与tms320c5416的接口很方便，前者只需作为后者的外部数据存储器与其进行连接，而中间的逻辑电路采用cpld实现即可。这里使用16位数据宽度，所以byte引脚通过一个上拉电阻接到3.3v电源。连接电路原理如图1所示。相应的vhdl语言程序为：

flash_ce<=dsp_ds;

flash_oe<=(not dsp_r_w)or dsp_mstrb;

flash_we<=dsp_r_w or dsp_mstrb;

2 tms320c5416自举引导过程

当mp/mc=0时，tms320c5416被置于微计算机模式。上电或复位时，程序指针指向片内rom区的ff80h单元，该单元放置了一条跳转指令，使程序跳转到f800h单元。而f800h就是自举加载器（bootloader）引导程序的起始单元。

bootloader的任务就是将存放在外部flash中的程序“搬运”到dsp内部或外部的ram区，“搬运”完后跳转到程序入口处执行。存放在外部flash中的用户程序与一些必要的引导信息组合在一起，称为boot表示（自举表）。16位模式下通用的boot表结构如表1所示。

表1 16位模式下通用boot表结构

tms320c5416提供了多种自举加载的方法。在此使用并行加载模式，因此令int2=1和int3=1。在并行模式下，自举表放在外部数据存储器的32k高端地址区间：8000h～0fffh。自举表首地址放在数据空间的0ffffh单元。加载时，bootloader读取数据空间的0ffffh单元中的内容，将其作为首地址，从该地址开始复制数据到内部的程序空间。复制完毕后，bootloader便跳转到指定的程序入口地址，开始执行用户程序。