基于闪存TMS320VC5409DSP并行引导装载方法
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:292
摘要：闪烁存储器am29lv400b的主要特点及编程方法；通过把flash的前32k映射到dsp tms320vc5409的数据空间，按照自举表(boottable)的格式在flash中存储程序代码，由dsp引导装载(bootloader)程序实现了flash的16位并行引导装载；结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。
关键词：dsp 闪烁存储器 引导装载
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tms320vc5409是ti公司推出的新一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(dsp)。与现在流行的tms320c5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统，如机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)和数字无线通信等。闪烁存储器(flash memory)是可以在线电擦写、掉电后信息不丢失的存储器。flash与eprom相比，具有更高的性能价格比，而且体积小、功耗低、擦写速度快、使用比较方便。因此，采用flash存储程序和固定数据是一种比较好的选择。amd公司的am29lv400b flash可以直接与dsp相接。
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1 am29lv400b的主要特点及编程方法
am29lv400b是amd公司新推出的256k×16位产品，具有以下主要特点：
(1)支持单电源操作，可分为满负荷电压供电(2.7v~3.6v)和电压范围可调节(3.0v~3.6v)供电两种方式。满幅度电压供电方式主要用于电池供电的应用中，而电压范围可调节供电方式直接与3.3v的高性能dsp接口，简化了系统的电源要求。
(2)最快的存取速度高达55ns，cmos工艺,具有100000次写入/擦写寿命。
(3)低功耗(200na的自动休眠电流，200na的待命电流，7ma的读电流，15ma的编程/擦除电流)。
(4)灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。整片分为11个块(1块8k字、2块4k字、1块16k字、7块32k字)。
(5)块保护功能，具有防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护机制。
(6)与jedec标准兼容，引脚分布和命令集与单电源flash相兼容，具有优越的防止意外编程的保护功能。
(7)数据查询位和数据切换位，可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。
(8)ready/busy#管脚，可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。
(9)具有擦除暂停/擦除恢复功能。在暂停擦除操作过程中，支持读写不处于擦除状态的块。
(10)内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。
am29lv400b编程和擦除算法的命令定义如表1所示。 |
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表1 am29lv400b命令定义 |
| 操作命令序列 |
周期 |
总线周期 |
| 1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
| 地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
| 读 |
1 |
ra |
rd |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 复位 |
1 |
xxx |
f0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 片擦除 |
6 |
555 |
aa |
2aa |
55 |
555 |
80 |
555 |
aa |
2aa |
55 |
555 |
10 |
| 段擦除 |
6 |
555 |
aa |
2aa |
55 |
555 |
80 |
555 |
aa |
2aa |
55 |
sa |
30 |
| 字编程 |
4 |
555 |
aa |
2aa |
55 |
555 |
a0 |
pa |
pd |
|
|
|
| |
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表中，ra为要读的存储器地址；rd为从存储器地址ra处读出的数据；sa为要擦除的段地址；pa为要写入数据的存储器地址；pd为要在地址pa处写入的数据。根据表中的命令定义可编制flash的"烧写"和"擦除"程序(用c语言和汇编语言混合编程实现)。根据需要，我们编制了 "烧写"单字和"烧写"多字的程序。
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2 硬件电路组成
dsp存储区硬件接口电路如图1所示。主要由5部分组成：dsp处理器-tms320vc5409、
摘要：闪烁存储器am29lv400b的主要特点及编程方法；通过把flash的前32k映射到dsp tms320vc5409的数据空间，按照自举表(boottable)的格式在flash中存储程序代码，由dsp引导装载(bootloader)程序实现了flash的16位并行引导装载；结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。
关键词：dsp 闪烁存储器 引导装载
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tms320vc5409是ti公司推出的新一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(dsp)。与现在流行的tms320c5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统，如机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)和数字无线通信等。闪烁存储器(flash memory)是可以在线电擦写、掉电后信息不丢失的存储器。flash与eprom相比，具有更高的性能价格比，而且体积小、功耗低、擦写速度快、使用比较方便。因此，采用flash存储程序和固定数据是一种比较好的选择。amd公司的am29lv400b flash可以直接与dsp相接。
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1 am29lv400b的主要特点及编程方法
am29lv400b是amd公司新推出的256k×16位产品，具有以下主要特点：
(1)支持单电源操作，可分为满负荷电压供电(2.7v~3.6v)和电压范围可调节(3.0v~3.6v)供电两种方式。满幅度电压供电方式主要用于电池供电的应用中，而电压范围可调节供电方式直接与3.3v的高性能dsp接口，简化了系统的电源要求。
(2)最快的存取速度高达55ns，cmos工艺,具有100000次写入/擦写寿命。
(3)低功耗(200na的自动休眠电流，200na的待命电流，7ma的读电流，15ma的编程/擦除电流)。
(4)灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。整片分为11个块(1块8k字、2块4k字、1块16k字、7块32k字)。
(5)块保护功能，具有防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护机制。
(6)与jedec标准兼容，引脚分布和命令集与单电源flash相兼容，具有优越的防止意外编程的保护功能。
(7)数据查询位和数据切换位，可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。
(8)ready/busy#管脚，可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。
(9)具有擦除暂停/擦除恢复功能。在暂停擦除操作过程中，支持读写不处于擦除状态的块。
(10)内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。
am29lv400b编程和擦除算法的命令定义如表1所示。 |
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表1 am29lv400b命令定义 |
| 操作命令序列 |
周期 |
总线周期 |
| 1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
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| 地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
地址 |
数据 |
| 读 |
1 |
ra |
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| 复位 |
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| 片擦除 |
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10 |
| 段擦除 |
6 |
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2aa |
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| 字编程 |
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aa |
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55 |
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a0 |
pa |
pd |
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表中，ra为要读的存储器地址；rd为从存储器地址ra处读出的数据；sa为要擦除的段地址；pa为要写入数据的存储器地址；pd为要在地址pa处写入的数据。根据表中的命令定义可编制flash的"烧写"和"擦除"程序(用c语言和汇编语言混合编程实现)。根据需要，我们编制了 "烧写"单字和"烧写"多字的程序。
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2 硬件电路组成
dsp存储区硬件接口电路如图1所示。主要由5部分组成：dsp处理器-tms320vc5409、
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