一、学习目的：

    1、使用orcad/pspice9直流扫描分析（dc sweep)来验证二极管的v-i特性曲线。

    2、学习如何改变二极管的模型参数。

    二、练习步骤

    1、绘出电路图，并存为d1n4002.opj。

    图1 测量二极管v-i特性曲线的电路

    本电路需要使用的元件,如下所示:

    电源vi默认的dc元件属性为0，我们不去改变它。因为它只在偏压点分析（bias point detail)时有用，而本例将直接试用直流扫描分析（dc sweep）来求解。

    2、dc sweep 直流扫描分析

    步骤一：设置dc sweep 直流扫描分析参数1、选择pspicenew simulation profile或单击工具栏上的按钮,打开new simulation对话框，在neme栏中输入本仿真文件的名称dc。

    2、单击[create]钮，出现如图1的simulation setting-dc对话框，按图2输入参数。

    图2 dc sweep设置

    即设置主扫描变量为电压源vi,由-110v开始扫描直到10v，每隔0.01v记录一点。

    3、设置完毕后，选择[确定]按钮退出simulation setting-dc窗口。

    步骤二：存档并启动pspice执行仿真

    1、用filesave功能选项或工具栏的钮或快捷键[ctrl+s]存档一次。

    2、执行pspicerun菜单命令或单击按钮，启动pspice程序执行仿。屏幕上自动打开probe窗口。

    步骤三：使用probe观察仿真结果

    1、在刚打开的probe窗口空图，先调整x轴变量vi为-110-10v。可以直接在x轴位置双击鼠标左键或是用plotaxis settings对话框，选择x axis页，选取user defined选项，然后输入上下范围值-110-10v。

    2、现在选择traceadd trace...或快捷图钮或键盘上的[insrt]钮。打开如下图的add traces对话框，现在请在add traces在对话框左simulation output variables栏内的“i（d1）”处单击鼠标左键，现在窗口下的trace expression栏处应该出项“i（d1）”字样。用鼠标选“ok”钮退出add traces窗口。这时的pspice窗口的输出波形区出项如图3所示一条曲线，由图可以看到二极管v-i特性曲线的大致情况。

    图3 二极管v-i特性曲线

    3、现在调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。请选protaxis settings...功能选项或直接x轴坐标刻度上双击左键来打开axis settings对话框。请把x axis页内data rangs栏下的user defined值设为0-2v，请把y axis页内data rangs栏下的user defined值设为0-5a。现在probe窗口如图4所示，可见门坎电压约为0.75v。

    图4 二极管门坎电压

    4、再如上面的操作将x轴坐标刻度值设为-101v到-99v，将纵轴坐标调整为-5v到1a，现在probe窗口如图5所示，可见其雪崩电压约为100v。

    图5 二极管