PWM恒流充电系统的设计
发布时间:2007/9/10 0:00:00 访问次数:1811
摘要:一种好的蓄电池充电方法是分级恒流充电。分析了PWM控制DC/DC变换的原理,给出了一种基于IGBT功率器件、单片机控制新型蓄电池恒流充电系统的设计方法,并对该系统进行了试验,给出了试验结果。
关键词:Buck变换器 PWM IGBT 80C196KC
蓄电池正常充电时,比较好的充电方法是分级定流方式,即在充电初期用较大的电流,充到一定的时间后,改用较小的电流,至充电后期改用更小的电流。这种充电方法的效率高,所需充电时间较短,充电的效果也好,并且对延长电池的使用寿命有利。
针对这种要求,本文设计了可改变电流大小的恒流充电系统。
1 系统结构及设计
系统结构如图1所示。交流市电经AC/DC整流得到直流电压Vbus,Vbus经IGBT DC/DC斩波后供给电池作为充电电压。
根据恒流充电的要求,将电池的充电电流作为反馈信号实施闭环控制。给定充电电流I*与实际充电电流反馈信号I比较得误差e,经PID调节器调节后送PWM控制器产生PWM控制信号,再经隔离驱动控制功率开关管IGBT的开与导通,进行DC/DC降压斩波,实时改变充电电压的大小,从而实现恒流充电的功能。
1.1 斩波及驱动设计
直流DC/DC斩波电路采用Buck降压变换器的形式,如图2所示。电感L2之前为Buck变换器,Buck变换器有电感电流连续工作模式和不连续工作模式。适当选取电感L1的大小,可使Buck变换器电感电流为连续状态。而连续状态下的电感电流为锯齿波,为了更好地平滑电流,在变换器后再接一平波电感L2。
反馈控制系统的一个重要设计准则就是保证跟踪的快速性。由于L1及滤波电容都放大,因而时滞大,所以在此不用与电池(BAT)相串的L2电流作为反馈,而以L1的电流为反馈。
IGBT为全控型晶体管,通过控制其栅极G端高低电平可控制其导通与关断。D为续流二极管。设IGBT开关周期为T,开通时间为Ton,判断时间为Toff,占空比为d,则有关系式:
Ton+Toff=T
Uc=(Ton/T)VBus
d=Ton/T
开关周期固定,通过控制占空比d可实现对Uc的控制。
IGBT的驱动采用TLP250芯片。TLP250内部有光耦隔离。为了实现IGBT的快速关断,在使其关断时,需为G、E端提供一负偏压。TLP250的驱动电路如图3所示,稳压管Z+5伏,采用+20V电源供电。由于稳压管Z及电容C2的储能作用,当IGBT导通时,G、E之间产生+15伏的驱动电压;当IGBT关断时,G、E之间产生+5V的偏压。G、E两端PWM波形如图4所示。
1.2 脉宽调制
脉宽调制(PWM)控制器选用3525芯片。该芯片内部有一振荡器产生三角波信号,误差信号e=I*-I经PID调节器后送内
摘要:一种好的蓄电池充电方法是分级恒流充电。分析了PWM控制DC/DC变换的原理,给出了一种基于IGBT功率器件、单片机控制新型蓄电池恒流充电系统的设计方法,并对该系统进行了试验,给出了试验结果。
关键词:Buck变换器 PWM IGBT 80C196KC
蓄电池正常充电时,比较好的充电方法是分级定流方式,即在充电初期用较大的电流,充到一定的时间后,改用较小的电流,至充电后期改用更小的电流。这种充电方法的效率高,所需充电时间较短,充电的效果也好,并且对延长电池的使用寿命有利。
针对这种要求,本文设计了可改变电流大小的恒流充电系统。
1 系统结构及设计
系统结构如图1所示。交流市电经AC/DC整流得到直流电压Vbus,Vbus经IGBT DC/DC斩波后供给电池作为充电电压。
根据恒流充电的要求,将电池的充电电流作为反馈信号实施闭环控制。给定充电电流I*与实际充电电流反馈信号I比较得误差e,经PID调节器调节后送PWM控制器产生PWM控制信号,再经隔离驱动控制功率开关管IGBT的开与导通,进行DC/DC降压斩波,实时改变充电电压的大小,从而实现恒流充电的功能。
1.1 斩波及驱动设计
直流DC/DC斩波电路采用Buck降压变换器的形式,如图2所示。电感L2之前为Buck变换器,Buck变换器有电感电流连续工作模式和不连续工作模式。适当选取电感L1的大小,可使Buck变换器电感电流为连续状态。而连续状态下的电感电流为锯齿波,为了更好地平滑电流,在变换器后再接一平波电感L2。
反馈控制系统的一个重要设计准则就是保证跟踪的快速性。由于L1及滤波电容都放大,因而时滞大,所以在此不用与电池(BAT)相串的L2电流作为反馈,而以L1的电流为反馈。
IGBT为全控型晶体管,通过控制其栅极G端高低电平可控制其导通与关断。D为续流二极管。设IGBT开关周期为T,开通时间为Ton,判断时间为Toff,占空比为d,则有关系式:
Ton+Toff=T
Uc=(Ton/T)VBus
d=Ton/T
开关周期固定,通过控制占空比d可实现对Uc的控制。
IGBT的驱动采用TLP250芯片。TLP250内部有光耦隔离。为了实现IGBT的快速关断,在使其关断时,需为G、E端提供一负偏压。TLP250的驱动电路如图3所示,稳压管Z+5伏,采用+20V电源供电。由于稳压管Z及电容C2的储能作用,当IGBT导通时,G、E之间产生+15伏的驱动电压;当IGBT关断时,G、E之间产生+5V的偏压。G、E两端PWM波形如图4所示。
1.2 脉宽调制
脉宽调制(PWM)控制器选用3525芯片。该芯片内部有一振荡器产生三角波信号,误差信号e=I*-I经PID调节器后送内
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