Hynix推出速度最快的GDDR4,三星落后
发布时间:2007/9/8 0:00:00 访问次数:410
韩国第二大存储芯片制造商现代半导体公司(Hynix Semiconductor)日前推了出迄今速度最快的存储容量维512Mbit的GDDR4显卡存储芯片。
该芯片是处理动态图片和图形的高速宽带DRAM,非常适合于游戏和视频编辑任务。GDDR4是当前高性能图形卡上应用的GDDR3的下一代产品。现代半导体也将GDDR4定位于适合64位计算的理想产品。
GDDR4处理数据速度为每秒2.9Gbps,现代半导体还表示将进一步提高这款芯片的数据处理速度。
该公司计划于2006年初批量生产这种芯片。
现代半导体的GDDR4在容量和速度上都使它在该领域将竞争对手三星远远甩在了后面。三星电子在今年10月底推出了速度为2.5GGbps的256Mbit GDDR4,并决定在年末推出速度为2.8Gbps的GDDR4。
韩国第二大存储芯片制造商现代半导体公司(Hynix Semiconductor)日前推了出迄今速度最快的存储容量维512Mbit的GDDR4显卡存储芯片。
该芯片是处理动态图片和图形的高速宽带DRAM,非常适合于游戏和视频编辑任务。GDDR4是当前高性能图形卡上应用的GDDR3的下一代产品。现代半导体也将GDDR4定位于适合64位计算的理想产品。
GDDR4处理数据速度为每秒2.9Gbps,现代半导体还表示将进一步提高这款芯片的数据处理速度。
该公司计划于2006年初批量生产这种芯片。
现代半导体的GDDR4在容量和速度上都使它在该领域将竞争对手三星远远甩在了后面。三星电子在今年10月底推出了速度为2.5GGbps的256Mbit GDDR4,并决定在年末推出速度为2.8Gbps的GDDR4。