Vishay公司发布两款新型同步降压控制器IC SiP12201和SiP12202，设计用于需要高达10A输出电流的DC/DC转换器电路中与外部MOSFET协同工作,并具有最小的外部元件数目.

        高压SiP12201与低压SiP12202控制器为在一系列应用中实现灵活的、有效的电压转换而设计，具体应用包括电池供电、电信与工业终端系统等。新器件的同步降压架构允许电压转换的效率达到93%，延长了电池寿命，降低了现场安装或机架安装配件系统的热量，并减轻冷却系统的需要。

        SiP12201的输入电压范围从4.2V到26V；SiP12202从2.7到5.5V。两器件有可调节的输出电压范围,SiP12201为0.6到20V；SiP12202为0.6到5.5 V。在低端达到0.6V是该器件的在500-kHz工作频率时的独特性能，确保SiP12201 与SiP12202可满足未来更低电压（预期在未来十年电压将下降到0.6V）的需求。

        SiP12201高电压降压控制器

        高电压SiP12201同步降压控制器，设计用于工业控制、无线与电缆调制解调器、机顶盒、LCD TV、电信电源与服务器及负载点 (POL)模块等,为微处理器、ASIC、FPGA及各种终端产品中的使用的DSP器件提供调整电源。该器件可以驱动同步转换器的高边与低边的N沟MOSFET。
SiP12201通过以两个更低成本N沟器件取代一个N沟器件与一个P沟器件的组合，帮助降低整体的设计成本。SiP12201还具有500 kHz工作频率的优势，允许在转换器设计中使用更小的无源器件。

        SiP12202低电压降压控制器

        低高电压 SiP12202同步降压控制器专门用于以电池为能源的设备的功率转换及笔记本、台式机与其他涉及广泛使用负载点或分布式电源转换器的系统。转换器可设置100%的占空比以保证整个低输入电压情况下的持续有效。在低电池情况下芯片可以作为低压降（LDO）调整器使用,可实现100%的占空比.

        SiP12202在低边驱动一个N沟MOSFET，在高边驱动一个P沟MOSFET。在高边使用P沟MOSFET,不需要外接电荷泵，同时简化了高边栅极驱动。高频工作频率可达500 kHz，可以使用小型无源元件实现更小型的终端系统。

        新型SiP12201与SiP12202降压式控制器IC: 概要表格

        因为Vishay提供兼容的控制器与MOSFET器件，设计师可以获得最完整地高压和低压降压解决方案。SiP12201与Vishay的 Si7114DN N沟功率 MOSFET配合使用最佳, SiP12202与Si7106DN P沟与Si7110DN N沟功率MOSFET配合使用最佳。

        两个新的降压控制器整合了补偿/关断引脚及额外的保护特性，如欠压锁定、电压良好输出、输出电流限制与热关断等。内部软启动防止启动过程中的电压尖脉冲。每个控制器均以无铅MLP33-10封装，工作温度为-40 °C到+85 °C.