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韩研制出2纳米金属线,半导体新工艺

发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:224


        近日消息,韩国科技部正式表示,本国科学家已经成功研制出了全球最薄的金属线,而这一成功也被视为足以震惊科技领域的重大突破。  

        english.yna.co.kr报道,此次研制出的金属线宽度仅仅为2纳米,由韩国首都首尔的Yonsei大学原子线研发中心所开发。  

        分析家指出,随着这种超薄金属线技术的面世,未来半导体产品将拥有更大的容量和更快的速度。据此次研究小组的12位科学家透露,通过此项技术,未来内存芯片的尺寸将会极大程度上被降低,而半导体篆刻工艺也将进入全新的2纳米时代。  

        目前为止,韩国三星旗下最为先进的16G内存仍然使用着50纳米设计标准。而业界目前所制定的目标,也只不过是成功过渡到25纳米技术而已。此项研究始于2003年,由韩国科技部所赞助,总耗费资金达到了214万美元。


        近日消息,韩国科技部正式表示,本国科学家已经成功研制出了全球最薄的金属线,而这一成功也被视为足以震惊科技领域的重大突破。  

        english.yna.co.kr报道,此次研制出的金属线宽度仅仅为2纳米,由韩国首都首尔的Yonsei大学原子线研发中心所开发。  

        分析家指出,随着这种超薄金属线技术的面世,未来半导体产品将拥有更大的容量和更快的速度。据此次研究小组的12位科学家透露,通过此项技术,未来内存芯片的尺寸将会极大程度上被降低,而半导体篆刻工艺也将进入全新的2纳米时代。  

        目前为止,韩国三星旗下最为先进的16G内存仍然使用着50纳米设计标准。而业界目前所制定的目标,也只不过是成功过渡到25纳米技术而已。此项研究始于2003年,由韩国科技部所赞助,总耗费资金达到了214万美元。

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