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安森美的自保护电子保险丝用于侵入电流限制应用

发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:276

安森美半导体(ON Semiconductor)推出SMART HotPlug系列的新成员NIS5112——集成自保护、可复位之电子保险丝,采用内置电荷泵驱动高端N通道FET。为用于12伏(V)系统而设计,NIS5112为热插拔应用如企业级硬盘提供一个高性价比的侵入电流限制解决方案。
安森美半导体Smart HotPlug产品市场营销经理Barry Brinkman说:“采用NIS5112,设计人员只需几个低成本元件便可得到可靠的分流电路流限制集成解决方案。在该器件推出前,设计人员需采用多达11个不同元件的分立元件解决方案。”
NIS5112设计可以在12V背板上安全插拔设备,它采用内置SENSEFETTM以价廉电阻芯片,替代较昂贵的低阻抗分流电路实现有源限流功能。与可调电压转换率耦合,NIS5112使设计人员可轻易地选择在多种应用中限流水平和输出电压的提升速率。NIS5112的输入电压范围为9V到18V,且提供过压保护,能在瞬流中运行,保护负载。此器件也包含控制导通电压、输出电流、裸片温度、导通di/dt和导通dV/dt,及启动/定时器功能的电路。它提供两种限热版本的稳健热保护电路,即自动重试和锁存关闭。
特性:
集成功率器件
热限制保护
无须外部分流电路
内置电荷泵
9V到18V输入范围
典型值为30 mΩ
应用领域包括硬盘和计算。NIS5112D1R2G(锁存)和NIS5112D2R2G(重试)采用无铅SO-8封装,每2,500件的批量单价为$1.15美元。现提供样品。 

安森美半导体(ON Semiconductor)推出SMART HotPlug系列的新成员NIS5112——集成自保护、可复位之电子保险丝,采用内置电荷泵驱动高端N通道FET。为用于12伏(V)系统而设计,NIS5112为热插拔应用如企业级硬盘提供一个高性价比的侵入电流限制解决方案。
安森美半导体Smart HotPlug产品市场营销经理Barry Brinkman说:“采用NIS5112,设计人员只需几个低成本元件便可得到可靠的分流电路流限制集成解决方案。在该器件推出前,设计人员需采用多达11个不同元件的分立元件解决方案。”
NIS5112设计可以在12V背板上安全插拔设备,它采用内置SENSEFETTM以价廉电阻芯片,替代较昂贵的低阻抗分流电路实现有源限流功能。与可调电压转换率耦合,NIS5112使设计人员可轻易地选择在多种应用中限流水平和输出电压的提升速率。NIS5112的输入电压范围为9V到18V,且提供过压保护,能在瞬流中运行,保护负载。此器件也包含控制导通电压、输出电流、裸片温度、导通di/dt和导通dV/dt,及启动/定时器功能的电路。它提供两种限热版本的稳健热保护电路,即自动重试和锁存关闭。
特性:
集成功率器件
热限制保护
无须外部分流电路
内置电荷泵
9V到18V输入范围
典型值为30 mΩ
应用领域包括硬盘和计算。NIS5112D1R2G(锁存)和NIS5112D2R2G(重试)采用无铅SO-8封装,每2,500件的批量单价为$1.15美元。现提供样品。 

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