Soisic以成功流片90纳米SOI芯片宣扬COT设计套件
发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:700
法国绝缘硅(SOI)知识产权(IP)提供商Soisic SA日前宣布,已利用90纳米SOI流片成功制造出六片工作(working)集成电路,从而验证了被该公司称为业内首套客户自有工具(COT)设计套件。
据Soisic称,这些器件由飞思卡尔半导体的先进SOI工艺技术制造,为无厂ASIC设计公司提供了将它们基于CMOS的设计移植到SOI工艺一条清晰的道路,以实现芯片更佳的性能和更低的功耗。
Soisic表示,成功流片了带三种阈值电压单元、I/O电路、存储器和数据加密/解密电路包含800万个晶体管的标准单元。所有部件都正常工作,证明Soisic面向90纳米SOI工艺技术的COT设计套件合格。
“这些流片有力地证明了Soisic将SOI技术引进至ASIC/COT设计的领导地位。” Soisic总裁兼CEO Eduard Weichselbaumer表示。
此前,Soisic于8月发布了90纳米的COT套件。该公司成功流片表明,ASIC设计公司能够在工业标准的EDA设计流程内制造先进的SOI部件,无需求助于专属并昂贵的设计工具和流程。
业内人士指出,传统IC设计由于时序主要决定于逻辑设计而非版图设计,因此IC设计公司主要实现逻辑设计,代工厂商根据IC设计公司的门级网表实现物理设计。但是,随着设计工艺加深,IC性能,尤其是时序收敛问题在逻辑设计阶段并不能保证,更多地取决于版图设计和互连,目前很多IC设计公司转向COT设计,投资购买物理设计工具。
法国绝缘硅(SOI)知识产权(IP)提供商Soisic SA日前宣布,已利用90纳米SOI流片成功制造出六片工作(working)集成电路,从而验证了被该公司称为业内首套客户自有工具(COT)设计套件。
据Soisic称,这些器件由飞思卡尔半导体的先进SOI工艺技术制造,为无厂ASIC设计公司提供了将它们基于CMOS的设计移植到SOI工艺一条清晰的道路,以实现芯片更佳的性能和更低的功耗。
Soisic表示,成功流片了带三种阈值电压单元、I/O电路、存储器和数据加密/解密电路包含800万个晶体管的标准单元。所有部件都正常工作,证明Soisic面向90纳米SOI工艺技术的COT设计套件合格。
“这些流片有力地证明了Soisic将SOI技术引进至ASIC/COT设计的领导地位。” Soisic总裁兼CEO Eduard Weichselbaumer表示。
此前,Soisic于8月发布了90纳米的COT套件。该公司成功流片表明,ASIC设计公司能够在工业标准的EDA设计流程内制造先进的SOI部件,无需求助于专属并昂贵的设计工具和流程。
业内人士指出,传统IC设计由于时序主要决定于逻辑设计而非版图设计,因此IC设计公司主要实现逻辑设计,代工厂商根据IC设计公司的门级网表实现物理设计。但是,随着设计工艺加深,IC性能,尤其是时序收敛问题在逻辑设计阶段并不能保证,更多地取决于版图设计和互连,目前很多IC设计公司转向COT设计,投资购买物理设计工具。