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WEDC推出高性能32M×72 DDR SDRAM

发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:237


  White Electronic Designs公司(WEDC)日前推出一款256MB (2Gb)寄存型DDR同步DRAM高速CMOS存储器——W3E32M72SR-XSBX。此款SDRAM采用32M×72配置,封装形式为16×25mm、400mm2、208塑料球栅阵列(PBGA)封装,适合可靠性高的产品,如商用、工业及军事等各种温度范围的应用。

  该器件与TSOP封装相比,节省了74%空间,减少了51% I/O。它降低了封装重量、减少了元件数量,与PCI桥/存储器控制相连时采用无胶连接,缩短了轨迹长度,减小了寄存电容。

  WEDC的2Gb SDRAM采用双数据速率(DDR)架构,可实现高速操作。DDR架构利用存储器时钟的双边缘收发数据,从而提高了运行速度。它使总线速度达到200、250和266 Mb/s,四个内部槽可用于并发操作及数据掩模(DM)引脚,用于将写数据掩膜(每个周期一个)。该模块采用差分时钟输入(CK和CK#),在每个正CK边缘输入命令。

  W3E32M72SR-XSBX批量达1,000片时,每片售价250美元(仅供参考),供货期为6至10周。


  White Electronic Designs公司(WEDC)日前推出一款256MB (2Gb)寄存型DDR同步DRAM高速CMOS存储器——W3E32M72SR-XSBX。此款SDRAM采用32M×72配置,封装形式为16×25mm、400mm2、208塑料球栅阵列(PBGA)封装,适合可靠性高的产品,如商用、工业及军事等各种温度范围的应用。

  该器件与TSOP封装相比,节省了74%空间,减少了51% I/O。它降低了封装重量、减少了元件数量,与PCI桥/存储器控制相连时采用无胶连接,缩短了轨迹长度,减小了寄存电容。

  WEDC的2Gb SDRAM采用双数据速率(DDR)架构,可实现高速操作。DDR架构利用存储器时钟的双边缘收发数据,从而提高了运行速度。它使总线速度达到200、250和266 Mb/s,四个内部槽可用于并发操作及数据掩模(DM)引脚,用于将写数据掩膜(每个周期一个)。该模块采用差分时钟输入(CK和CK#),在每个正CK边缘输入命令。

  W3E32M72SR-XSBX批量达1,000片时,每片售价250美元(仅供参考),供货期为6至10周。

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