3D Plus的16Mb SRAM具有优良的辐射指标
发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:353
3D Plus公司推出商用高性能SRAM——MMSR32510804STC，这是一款512k×32的静态RAM，由4个具有独立写功能的存储体(每个为512k×8)构成。该易用型产品适合高可靠性、高性能及高密度系统应用，具有优良的辐射指标：TID大于200 krad，SEU小于10 ex-9 upset/bit-day，抗锁闭(Latch-up)达80 LET MeV-cm sq/mg。
该内存模块的存取时间为17ns，芯片电源为2.5V，I/O电源为3.3V，具有低功耗特性，采用84引脚SOP(间距为0.5mm)封装，提供商用、工业及军用温度范围内的产品。
3D Plus公司推出商用高性能SRAM——MMSR32510804STC，这是一款512k×32的静态RAM，由4个具有独立写功能的存储体(每个为512k×8)构成。该易用型产品适合高可靠性、高性能及高密度系统应用，具有优良的辐射指标：TID大于200 krad，SEU小于10 ex-9 upset/bit-day，抗锁闭(Latch-up)达80 LET MeV-cm sq/mg。
该内存模块的存取时间为17ns，芯片电源为2.5V，I/O电源为3.3V，具有低功耗特性，采用84引脚SOP(间距为0.5mm)封装，提供商用、工业及军用温度范围内的产品。
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