作者：柯德林

　　中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)近日表示，其北京300mm晶圆厂正在克服向更先进纳米工艺升级过程中遇到的困难。

　　04年12月，中芯国际CEO张汝京(Richard Chang)透露，SMIC正在其北京晶圆厂按照德国英飞凌和日本Elpida存储器公司的要求改进其DRAM生产线，并称结果“是令人乐观的”。

　　不过，今年2月该公司却碰到了一个障碍。英飞凌和Elpida的产品分别要求采用110纳米沟槽电容工艺和100纳米堆叠电容工艺，中芯国际在寻找能够同时满足这两种工艺的通用工具套件时，遇到了比预期大得多的困难。

　　熟悉中芯国际运营的人士透露，进程的延缓已经使Elpida变得“非常焦躁不安”。Elpida公司的一名高级经理最近表示，公司基本上不推进与中芯北京晶圆厂在先进工艺节点上的合作，而是重点推进与台湾力晶半导体公司的代工关系。力晶半导体公司拥有一家300mm晶圆厂，其第二家300mm晶圆厂也将于今年第三季度投产。

　　在前不久于上海举行的行业贸易洽谈会上，中芯首席运营官Marco Mora承认，他们在从0.14微米向110纳米和100纳米的过渡中遇到了困难。但他强调，中芯110纳米和100纳米工艺最近已经通过了验收，而且采用更小工艺的商业产品也将很快问世。

　 “我们没有采用与英飞凌及Elpida一样的工具套件，因此我们需要解决如何利用一种相似工具套件来实现这两种工艺。没有必要为此开设单独的生产线。”Mora说。

　　Mora表示，中芯的北京晶圆厂将于第三季度开始生产90纳米逻辑晶圆。他补充道，公司位于天津的200mm晶圆厂今年的平均月产能将达到15,000块晶圆，公司计划明年进一步加快脚步，采用更小工艺生产平均售价更高的产品。