日本设备制造商Fujitsu和日本精工株式会社Epson近日宣称联手打造下一代FRAM（铁电存储器）。  

　　双方经协商，计划开发高整合的下一代FRAM，其面积将只有市场上现有同类产品的1/6。据悉，将有望于明年上半年完成开发。  

　　两公司将投入他们的主要科技，如FRAM选材处理及小型化技术等，以尽可能缩短开发周期。  

　　Fujitsu和Epson还计划开发对读写次数限制最小的存储核心处理器。  

　　公司负责人声称，近几年，手持设备及智能家用设备已得到了很大程度的普及，因此，对FRAM的呼声日益高涨。相对于闪存及EEPROM ，FRAM的低功耗、高读写速度满足了广泛的市场需求。