近来台湾DRAM晶圆厂人事异动频繁，包括华邦电（2344）原记忆体事业部资深高阶主管王其国，以及力晶（5346）原创始元老曾邦助，都相继转换跑道，为其他DRAM业者效力，加上华邦电近半年来亦出现研发人员流动率偏高情况，DRAM业界多认为，尽管人员流动不至于影响DRAM厂既有运作，但仍凸显出DRAM产业高度不确定及不稳定特性。

  　华邦电发言人温万寿19日表示，王其国原任华邦电BG2（Business Group 2）事业群总经理，而BG2主要负责华邦电记忆体事业部，之后王其国调任为董事长特别助理，不过，到2005年第一季（Q1）开始留职停薪，而根据华邦电公司规定，若留职停薪后仍未恢复就职，便算自动请辞，也就是说，王其国已自华邦电离职。

  　据DRAM同业表示，以王其国的学经历来看，对于华邦电近几年来能够在记忆体市场叱吒风云，可说是功不可没，由于王其国是伊利诺大学固态物理学博士，专长在于记忆体产品研发与制造，因此，使得华邦电过去在DRAM产品品质上，算是同业中的佼佼者。

  　不过，尽管王其国在Flash晶片组领域相当专精，然华邦电近来对于记忆体事业发展方向出现转变，可能造成其发展空间受限，加上华邦电对于是否要盖12寸厂，迟迟无法做出决定，缺乏12寸厂表演舞台，这些都可能是王其国萌生辞意原因之一。目前王其国已转进力晶，担任产品企划副总经理。

    值得注意的是，据华邦电内部人员表示，王其国离职对于华邦电内部研发部门已造成影响，由于过去华邦电与夏普（Sharp）共同研发NOR型Flash晶片组，便是由其一手主导，如今华邦电宣布停止与夏普合作案，不仅间接造成王其国离职，也造成华邦电2005年Q1出现大批研发人员及工程人员先后离职。

  　至于力晶创始元老之一、原任研发副总曾邦助，日前则在茂德（5387）法说会现身，据DRAM同业指出，曾邦助加入茂德后所担任职务，与先前所负责的研发工作大不相同。

  　茂德总经理陈民良则指出，邀请曾邦助加入茂德经营团队，主要是看重其外向的个人特质，对于推动茂德业务有相当大帮助，加上曾邦助具有研发背景，将有助于茂德未来持续扩大OEM市场。

  　DRAM同业则认为，尽管DRAM厂高层人事异动频繁，短期内对各公司影响程度有限，但若离职高层属于重要决策者，其后续效应仍不可轻忽，毕竟DRAM厂投资动辄新台币百亿元，若原本决策者异动，仍可能造成一定程度的负面冲击。

　 （来源　电子产品世界）