东芝超低导通电阻最大导通电阻值为5.8mΩ
发布时间:2007/9/6 0:00:00 访问次数:375
东芝公司的U-MOSIII低导通电阻系列通过采用U-MOSIII设计，可实现优于传统的超低导通电阻特性和高耐击穿性，从而达到减小功耗的目的，适合用作电机驱动器、点滴器、DC/DC变换器等开关元器件。
此系列器件的最大导通电阻(R(DS)ON)为5.8mΩ，具有较高的耐雪崩和耐电涌击穿性。其中的2SK3842、2SK3844和2SK3845分别采用TFP、TO-220NIS和TO-3P(N)封装，这三款产品的漏源电压(VDSS)均为60V。
（转自 国际电子商情）
东芝公司的U-MOSIII低导通电阻系列通过采用U-MOSIII设计，可实现优于传统的超低导通电阻特性和高耐击穿性，从而达到减小功耗的目的，适合用作电机驱动器、点滴器、DC/DC变换器等开关元器件。
此系列器件的最大导通电阻(R(DS)ON)为5.8mΩ，具有较高的耐雪崩和耐电涌击穿性。其中的2SK3842、2SK3844和2SK3845分别采用TFP、TO-220NIS和TO-3P(N)封装，这三款产品的漏源电压(VDSS)均为60V。
（转自 国际电子商情）
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