DRAM供货枯水警报连3响，模块厂闹旱灾！三星强制配货，海力士、力晶启动产能转换，模块厂挥汗找货源。

　　TRI观点：

　　一、DRAM大厂产能转换效应快速扩散中

    如拓墣于0519报告「DRAM产业下半年因产能转移效应有利价格持稳」中所述，除第二季Samsung已把DRAM产能转至Nand Flash外，第三季初Hynix及力晶也将跟进，将DRAM产能转移至Nand flash（表一）；除市场上开始出现供不应求的声浪，Samsung更进一步对下游DRAM模块采取强制配货动作，所有DRAM颗粒货源均优先供应国际OEM计算机大厂，此举不仅有利价格，更将进一步使得各家DRAM模块厂仅能各凭本事寻找DRAM货源，而其中Kingstone更是领先台厂一个月事先备料，预料在整个产业大趋势下，除ETT产品已开始涨价至2.2美元，256MB DDR1也将从现在的2.3价格往上调涨至2.5美元以上，另外512MB DDR1合约价在五月时已因应供不应求使得价格在DDR2之上达6.3左右，而DDR2因为Intel 945芯片组更新版需待9月才能正式上市，预期价格将持续下滑至5美元左右的心理关卡。

　　二、Nand Flash市场下半年因应消费性电子产品豇季，持续看俏 Samsung在Nand Flash产业发展情形，不仅市占率已高达59%且具有拢断高阶产品 (4GB以上)价格的能力，且因制程技术领先其它厂商，具成本优势，预期2005年仍将持续以12吋厂70奈米生产4 Gb Nand Flash和增加产能（图二）；近期Samsung为因应消费性电子产品旺季，在作多心态浓厚有意控制供给面的出货下，Nand Flash价格近期开始有止跌的迹像，以2Gb而言，目前已止在11.5美元左右。

    拓墣预期在Nand Flash需求量不变持续上扬的趋势及DRAM厂不愿丧失转换产能机会成本的考虑下，第三季DDR1缺货的状况将愈演愈烈，并造成价格逐步向上推升至3美元关卡。