Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。

    CMC选择的是日本广岛大学(Hiroshima University)开发的HiSIM-RF表面电势(surface potential)SPICE模型，以及美国宾夕法尼亚州立大学与飞利浦研究院共同研制的PSP模型。

    两款模型将进入选择过程的功能测试阶段。最终选择其中一种或两种作为新的MOSFET标准预计将通过CMC的6月会议之后CMC成员的投票来决定。

    BSIM3与BSIM4模型数年来一直是行业标准。据EDA供应商Silvaco称，HiSIM-RF模型和BSIM模型的发起方无法精确对90纳米及以下的技术行为进行建模。

    Silvaco公司营销副总裁Ken Brock表示，CMC是在评估了几种候选模型之后才选中了这两种模型的。CMC把最终候选名单削减到两个是为了保持模型间的竞争精神。

    CMC成立于1996年，由27家公司组成，旨在推行紧凑模型公式化和模型接口使用与实现的国际性非排它标准化。

    在Silvaco发表的一个声明中，Silvaco CEO Ivan Pesic指出，HiSIM模型的精确表面电势算法、高性能完整导数及“伯克利类型接口(Berkeley-style)”是被CMC选中的因素。

   （来源  电子工程专辑）