Fujitsu Microelectronics America(FMA)公司推出1Mb铁电随机存取存储器(FRAM) MB85R1001(x8位)和MB85R1002(x16位).这是迄今为止所开发的容量最高的FRAM.新的FRAM还具有高速读和写操作,低功耗和长数据保存期.这两种新器件采用最新的0.35um 1T1C单元技术.

　　FRAM设计用来满足日益增长的非易失性存储器的需求,它为办公设备如打印机,复印机和手提信息设备以及家用电器如微波炉和洗衣机等提供了高速读和写操作,低功耗和长数据保存期.FRAM组合了RAM和ROM两者的特性,容易支持这些设备的主要要求包括存储安全信息和状态监视.

　　这些扩展的FRAM产品提供了下一代存储器解决方案.FRAM替代电池备份存储器,提供了许多其它的特性包括容易生产和维护.采用FRAM替代RAM和ROM还降低了开发成本.

　　FRAM的写速度要快1万倍,写操作时消耗的功率小于1/10,重写周期比EEPROM要多10万次.公司还采用1T1C单元存储器技术,比传统的2T2C单元技术,其容量加倍.这种大容量的增加不需要增加芯片的尺寸.

　　现在可提供1Mb FRAM.有两种封装:TSOP48和FBGA48.1K量的MB85R1001和MB85R1002的单价为$19.0.

下表为产品主要性能:

  MB85R1001 MB85R1002
比特配置 128K x 8b 64K x 16b
工作电压 +3.0V - + 3.6V
工作温度 -20°C - +85°C  
读存取时间 100ns
读周期时间/写周期时间 250ns
数据保存期 大于10年
耐久力 大于100亿次
封装 TSOP48
TSOP32 (计划)
TSOP48, FBGA48
嵌入功能   /LB/UB 切换
加电保护系统

　　下图为产品外形图.详情请上网:www.fujitsu.com

            
                         （文章来源：中电网）