70毫欧和150毫欧SuperGaN器件实现高效AC-DC功率转换和高功率密度
发布时间:2024/9/24 13:27:16 访问次数:201
InnoGaN 650V GaN芯片实现功率转换，其中，PFC慢桥臂采用2颗INN650TA030AH，其采用Toll封装、导通电阻为30mΩ；PFC快桥臂采用2颗INN650TA070AH，其同样采用Toll封装，导通电阻为70mΩ；LLC桥臂采用4颗INN650D080BS，其采用DFN8*8封装，导通电阻为80mΩ。
通过效率测试，在输入电压230Vac/264Vac的条件下，本方案的最高效率可达到96.5%，能轻松满足80 Plus钛金级能效标准，进一步为数据中心提供高效电源。
在通信电源、LED照明等应用中，本方案同样具备小体积、高效率的优势，具有广泛的应用前景。
这两款参考设计还可用于各种其它应用，包括快充、LED可调光驱动器、游戏机和高性能笔记本电脑。
如果将天线单纯地小型化，寄生元件与接地之间的电磁场耦合会变强，因此，与馈电天线之间的耦合就会相对变弱。通过使用本产品，可以加强馈电天线与寄生元件之间的耦合，即使使用小型天线也能获得良好的特性。
通过让寄生元件与馈电天线进行强电磁耦合，可以增加寄生元件的天线共振，实现天线高效化。
抑制因天线电缆较长而导致的性能下降：天线在宽频带上使用时，会出现阻抗失配，从而导致无线通信的性能恶化。
而且，将阻抗失配的天线连接到通信电路上，长电缆会进一步加剧阻抗失配，从而导致插入损耗高于预期，无线通信的性能会显著恶化。通过使用本产品，可以改善天线匹配情况，即使在使用长电缆时也能抑制无线通信的性能恶化。
与Si MOS相比，Innoscience产品具备低Qg、低Co（tr）以及无反向恢复损耗Qrr等特性。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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通过效率测试，在输入电压230Vac/264Vac的条件下，本方案的最高效率可达到96.5%，能轻松满足80 Plus钛金级能效标准，进一步为数据中心提供高效电源。
在通信电源、LED照明等应用中，本方案同样具备小体积、高效率的优势，具有广泛的应用前景。
这两款参考设计还可用于各种其它应用，包括快充、LED可调光驱动器、游戏机和高性能笔记本电脑。
如果将天线单纯地小型化，寄生元件与接地之间的电磁场耦合会变强，因此，与馈电天线之间的耦合就会相对变弱。通过使用本产品，可以加强馈电天线与寄生元件之间的耦合，即使使用小型天线也能获得良好的特性。
通过让寄生元件与馈电天线进行强电磁耦合，可以增加寄生元件的天线共振，实现天线高效化。
抑制因天线电缆较长而导致的性能下降：天线在宽频带上使用时，会出现阻抗失配，从而导致无线通信的性能恶化。
而且，将阻抗失配的天线连接到通信电路上，长电缆会进一步加剧阻抗失配，从而导致插入损耗高于预期，无线通信的性能会显著恶化。通过使用本产品，可以改善天线匹配情况，即使在使用长电缆时也能抑制无线通信的性能恶化。
与Si MOS相比，Innoscience产品具备低Qg、低Co（tr）以及无反向恢复损耗Qrr等特性。
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