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使低音扬声器能够专注于深沉低音响应和主动降噪所需的低频能量

发布时间:2024/9/19 22:59:27 访问次数:182

2分频扬声器模块,以加速利用xMEMS固态MEMS微型扬声器技术的下一代高分辨率和无损音频TWS耳机的设计。

与单驱动器TWS耳机相比,Cowell卓越的高频响应可实现更宽的声场,为语音、人声和乐器提供更高水平的清晰度和存在感,使低音扬声器能够专注于深沉低音响应和主动降噪所需的低频能量。

3.3x3.3mm2 PQFN封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。

该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器,通信,OR-ing,电池保护,电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

这些模块集成了由Bujeon定制设计的重低音、高性能9毫米动态驱动低音扬声器、xMEMS的Cowell高音扬声器、世界上最小的单片MEMS 微型扬声器(仅22mm3)和xMEMS的Aptos MEMS扬声器放大器,以创建与当今领先的TWS片上系统兼容的“插入式”扬声器解决方案。

BEM-1xx和BEM-2xx系列2分频低音扬声器/高音扬声器模块,具有纤薄紧凑的大小尺寸:4.5毫米高(仅限扬声器)和9.52毫米直径。低音扬声器和高音扬声器在模块设计中完美匹配,消除了模拟或数字分频器的需求、成本和复杂性。

封装内部在芯片顶部还有一个改进漏极铜夹片设计,实现市场领先的芯片/封装面积比。

双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器,其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。

深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

2分频扬声器模块,以加速利用xMEMS固态MEMS微型扬声器技术的下一代高分辨率和无损音频TWS耳机的设计。

与单驱动器TWS耳机相比,Cowell卓越的高频响应可实现更宽的声场,为语音、人声和乐器提供更高水平的清晰度和存在感,使低音扬声器能够专注于深沉低音响应和主动降噪所需的低频能量。

3.3x3.3mm2 PQFN封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。

该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器,通信,OR-ing,电池保护,电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

这些模块集成了由Bujeon定制设计的重低音、高性能9毫米动态驱动低音扬声器、xMEMS的Cowell高音扬声器、世界上最小的单片MEMS 微型扬声器(仅22mm3)和xMEMS的Aptos MEMS扬声器放大器,以创建与当今领先的TWS片上系统兼容的“插入式”扬声器解决方案。

BEM-1xx和BEM-2xx系列2分频低音扬声器/高音扬声器模块,具有纤薄紧凑的大小尺寸:4.5毫米高(仅限扬声器)和9.52毫米直径。低音扬声器和高音扬声器在模块设计中完美匹配,消除了模拟或数字分频器的需求、成本和复杂性。

封装内部在芯片顶部还有一个改进漏极铜夹片设计,实现市场领先的芯片/封装面积比。

双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器,其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。

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