加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，额定功率高达0.5W。

由于提高了额定功率，RCS0805 e3现在可替代四个标准0805封装并联电阻；两个1206封装并联电阻；或者一个1210封装电阻。

RCS0805 e3通过AEC-Q200认证，阻值范围1Ω至10MΩ，跳线阻值为0Ω，公差为±0.5 %、±1%和±5 %，TCR为±100ppm/K和±200ppm/K。电阻工作电压150V，工作温度-55°C至+155°C。

器件符合RoHS标准,无卤素,适合在自动贴片机上用符合IEC 61760-1波峰焊,回流焊或气相焊工艺加工。

通过Secure Vault™技术和ARM TrustZone技术实现了最佳的安全性。利用定制化元件制造服务，xG26产品还可以在制造过程中使用客户设计的安全密钥和其他功能进行硬编码，从而进一步增强其抵御漏洞的能力。

ARM® Cortex®-M33 CPU和用于射频与安全子系统的专用内核，以多核形式实现了性能更高的计算能力，有助于为客户应用释放出主内核。

设计师可在节省汽车、工业、通信和医疗应用电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本。电阻脉冲负载性能和ESD浪涌特性优于标准片式电阻，适用于高能和重复浪涌脉冲下的各种应用。

封装也非常灵活，提供CSP、BGA两种规格，尺寸小至10×10毫米，最大不过23×23毫米，中间还有12×12毫米。

Spartan UltraScale+系列采用了经过验证的16nm FinFET制造工艺，相比28nm工艺的前代产品Atrix 7系列，可将总功耗降低多达30％，接口连接功耗降低最多60％。

高能效之外更有高性能，对比Atrix 7系列架构性能提高了最多1.9倍，同时I/O数量增加1.2倍、I/O逻辑单元增加2.4倍、内存控制器带宽增加5倍、PCIe带宽增加4倍、收发器带宽增加2.5倍。

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