1200V耐压钳位探头进行Vds测试得到更高电压条件下钳位测试结果
发布时间:2024/9/15 23:54:55 访问次数:148
平面结构氮化镓功率器件实现高压开关，主要难点是解决电流崩塌问题。
GaN功率器件在导通过程中的导通电阻值Rdson值被称为动态导通电阻，其详细定义和测试方法参见JEP173。常见的GaN器件，当工作电压超过700V时，会出现电流崩塌。
产品为182系列2.0双面单晶高效光伏组件，具有高可靠、更优弱光性能、低衰减、低温度系数、更优抗LID性能等优势。将持续致力于推动高效、绿色能源产品的创新发展，为全球能源结构转型与可持续发展贡献关键力量。
这一性能的提升，使得GaN器件在工作性能上可与同规格的碳化硅（SiC）器件相媲美。
TO-247封装GaN HEMT器件在1200V/15A条件下进行开关测试的波形，栅极电压为0-12V，陪测器件使用一颗1200V SiC二极管。（测试条件：陪测管SiC二极管，Ron=Roff=10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）
1200V耐压的钳位探头进行Vds测试，用来得到更高电压条件下的钳位测试结果。
下一代电动汽车所需技术的发展步伐正在加快，OEM厂商和供应商需要在硬件推出之前就能够对软件功能进行验证、仿真和迭代。SiliconAuto选择PAVE360作为其硅前软件开发的首选环境，表明可以基于标准方法帮助汽车行业领导者加快开发过程，满足下一代汽车所需要的各种功能。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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