多颗3.0V超级电容串联有效减少智联锂电整机体积提升能量密度
发布时间:2024/9/15 23:12:34 访问次数:152
在电动汽车逆变器的开发中，SiC功率元器件是非常重要的部件，由于可以进行高效率的电力电子设计，因此非常有助于例如延长续航距离和削减电池尺寸等电动汽车的技术革新。根据此次的长期供货协议，将确保在电动汽车产品开发方面的重要部件——SiC功率元器件的产能。
随着电动汽车在中国车载市场蓬勃发展，SiC为首的功率半导体使用、交付会显得越来越重要。全球知名半导体企业，特别在SiC高功率器件上有很深造诣。
持续进行技术交流，对其提案的元器件以及周边部件解决方案有着很高的评价。感谢一直以来的大力支持，与此同时，我们期待以此为新的起点来构筑长期的合作关系。
永铭超级电容器SDB系列具有长循环寿命、耐高温、高电压等特点，更好的解决了重卡续航问题。
长循环寿命：SDB系列单体的循环寿命可达50万次，整机多颗电容串联的循环寿命超过10万次。
耐高温：85℃的环境下可确保1000小时的工作寿命，使智联锂电整机的使用寿命长达10年以上。
高电压：多颗3.0V超级电容串联，能有效减少智联锂电整机的体积，并提升能量密度。
这些器件在电压尖峰期间会暂时增加电阻，稍微降低效率，但能迅速恢复而不会对性能产生明显影响。即使在多个尖峰事件或长期膨胀下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不会退化。
所有功率器件都有定义的操作限制。例如，725V的硅MOSFET通常可以安全工作到650V，并降额到725 V。长期暴露在高于725V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
在电动汽车逆变器的开发中，SiC功率元器件是非常重要的部件，由于可以进行高效率的电力电子设计，因此非常有助于例如延长续航距离和削减电池尺寸等电动汽车的技术革新。根据此次的长期供货协议，将确保在电动汽车产品开发方面的重要部件——SiC功率元器件的产能。
随着电动汽车在中国车载市场蓬勃发展，SiC为首的功率半导体使用、交付会显得越来越重要。全球知名半导体企业，特别在SiC高功率器件上有很深造诣。
持续进行技术交流，对其提案的元器件以及周边部件解决方案有着很高的评价。感谢一直以来的大力支持，与此同时，我们期待以此为新的起点来构筑长期的合作关系。
永铭超级电容器SDB系列具有长循环寿命、耐高温、高电压等特点，更好的解决了重卡续航问题。
长循环寿命：SDB系列单体的循环寿命可达50万次，整机多颗电容串联的循环寿命超过10万次。
耐高温：85℃的环境下可确保1000小时的工作寿命，使智联锂电整机的使用寿命长达10年以上。
高电压：多颗3.0V超级电容串联，能有效减少智联锂电整机的体积，并提升能量密度。
这些器件在电压尖峰期间会暂时增加电阻，稍微降低效率，但能迅速恢复而不会对性能产生明显影响。即使在多个尖峰事件或长期膨胀下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不会退化。
所有功率器件都有定义的操作限制。例如，725V的硅MOSFET通常可以安全工作到650V，并降额到725 V。长期暴露在高于725V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
