厚IMD选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压
发布时间:2024/9/15 22:57:41 访问次数:173
第四代0.18微米BCD工艺符合汽车质量标准AEC-Q100 Grade 1，确保集成电路(IC)能在125℃的高温环境下稳定运行，适用于汽车功率半导体，厚IMD（金属间介质）选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压。
凭借从第三代0.18微米BCD工艺中积攒的量产经验以及客户的高度信任，该公司期望第四代0.18微米BCD工艺能够帮助延长移动设备的电池寿命、通过减少发热实现稳定的性能，并通过提高汽车用功率半导体的能源效率来改善整体性能。
这种模块化的设计不仅提升产品的可靠性，还为用户提供了高度的定制化空间，用户可以根据不同应用场景，灵活组合模块，实现个性化的产品配置。同时，其能够与其他智能设备无缝连接和交互，实现智能控制和管理。
DEEBOT T50 PRO OMNI和T50 OMNI的气旋梳齿防缠绕系统，可有效降低毛发缠绕的发生率。
FeRAM，即基于电容型的铁电存储器，因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。
它旨在提供非易失性存储解决方案，以结合DRAM的快速访问和低功耗特性，特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET，即基于晶体管型的铁电存储器，是我们团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。
FeFET的优势在于其三端器件的设计，这使得它非常适合用于存算一体、神经形态计算和安全应用等先进领域。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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这种模块化的设计不仅提升产品的可靠性，还为用户提供了高度的定制化空间，用户可以根据不同应用场景，灵活组合模块，实现个性化的产品配置。同时，其能够与其他智能设备无缝连接和交互，实现智能控制和管理。
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