传输设备运行状况信息实施状态监测应用提供了新的连接解决方案
发布时间:2024/9/14 8:38:25 访问次数:130
带宽高达250kHz，典型响应时间为1.8μs，非常适合需要快速响应的应用场景。
支持3.3V/5V供电，可兼容多种电源环境。提供固定输出和比例输出两种模式，满足不同的应用需求。支持交直流检测，模拟电压输出，设计灵活。
与被测电路之间无物理接触,实现电气隔离,减少了电路的干扰和损耗。宽工作温度范围：-40℃~125℃,确保在各种环境条件下的稳定工作。隔离耐压高达3000Vrms，增强了电路的安全性。
传感器内部采用差分霍尔结构，能够有效抑制外部杂散磁场，抗干扰能力强，即使在复杂磁噪声环境下也能保障精确测量。
全极性磁开关传感器,它在超小型封装内集成了AMR磁传感器和高精度CMOS处理电路。
CMOS处理电路提供精确控制的BOP/BRP失调电压补偿电路和推挽输出，达到工业级的工作温度范围（工作温度：-40～125℃）,同时提供宽幅电压工作范围（2.0V～5.5V）和微安级的电流功耗，适合于各种手持式设备等电池电源供电的应用。
1/1.8英寸背照式（BSI）堆叠CMOS图像传感器，具有5120×3840有源像素阵列。
这种先进的传感器可在线性或增强动态范围（eDR）模式下捕捉图像，并采用滚动快门读出方式。AR2020的结构设计旨在以极低的功耗提供高质量的性能。
全极性磁开关因无需识别磁铁南北极，能够大大简化安装使用要求。
它由onsemi的1.4μm BSI像素提供支持，在微光和近红外波长下具有卓越的性能。AR2020的特点是在边缘提供一个强大的数据捕获设备，可通过多个选项进行编程，以极低功耗提供最佳带宽。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
带宽高达250kHz，典型响应时间为1.8μs，非常适合需要快速响应的应用场景。
支持3.3V/5V供电，可兼容多种电源环境。提供固定输出和比例输出两种模式，满足不同的应用需求。支持交直流检测，模拟电压输出，设计灵活。
与被测电路之间无物理接触,实现电气隔离,减少了电路的干扰和损耗。宽工作温度范围：-40℃~125℃,确保在各种环境条件下的稳定工作。隔离耐压高达3000Vrms，增强了电路的安全性。
传感器内部采用差分霍尔结构，能够有效抑制外部杂散磁场，抗干扰能力强，即使在复杂磁噪声环境下也能保障精确测量。
全极性磁开关传感器,它在超小型封装内集成了AMR磁传感器和高精度CMOS处理电路。
CMOS处理电路提供精确控制的BOP/BRP失调电压补偿电路和推挽输出，达到工业级的工作温度范围（工作温度：-40～125℃）,同时提供宽幅电压工作范围（2.0V～5.5V）和微安级的电流功耗，适合于各种手持式设备等电池电源供电的应用。
1/1.8英寸背照式（BSI）堆叠CMOS图像传感器，具有5120×3840有源像素阵列。
这种先进的传感器可在线性或增强动态范围（eDR）模式下捕捉图像，并采用滚动快门读出方式。AR2020的结构设计旨在以极低的功耗提供高质量的性能。
全极性磁开关因无需识别磁铁南北极，能够大大简化安装使用要求。
它由onsemi的1.4μm BSI像素提供支持，在微光和近红外波长下具有卓越的性能。AR2020的特点是在边缘提供一个强大的数据捕获设备，可通过多个选项进行编程，以极低功耗提供最佳带宽。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
相关技术资料- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
- 4-28解读人形机器人关键技术和未来趋势
- 4-28世界最小应变式六维力传感器结构参数设计
- 4-28高精度信号采集通讯模块RS485
- 4-28高分辨率磁编码器工作原理
- 4-28静态随机存取存储器（SRAM）
- 4-28标准单元库、嵌入式内存和GPIOs产品名词及应用介绍
公网安备44030402000607
