一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更环保的电子器件。两款新型 ICeGaN™产品系列GaN功率IC封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的DFN封装，坚固可靠。

DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，在设计上具有灵活性。

在顶部尤其是双侧冷却配置中，性能优于常用的TOLT封装。DHDFN-9-1封装采用双极引脚设计，有助于优化PCB布局和简单并联，使客户能够轻松处理高达6千瓦的应用。

新品可应对目前电磁式断路器对有限空间尺寸的所有要求，且无需复杂的冷却系统即可运行，加速从电磁式断路器向基于半导体的固态断路器（SSCB）的转型。

随着UJ4N075004L8S的推出，Qorvo将继续领导SiC电源产品的创新，以超小型元件封装的超低导通电阻FET器件助力电路保护等应用的发展。

其最新款JFET还能承受高瞬时结温而不发生性能劣化或参数漂移。JFET的常开特性使其能无缝集成到默认导通状态的系统中，并在故障条件下转为关断状态。

1200V碳化硅（SiC） MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件（SMD）封装，有30、40、60和80mΩ RDSon值可供选择。

3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80mΩ且封装灵活的器件。

Omnix®6000 ECHO HPPA系列（非食品接触）——性能优于聚酰胺PA6或PA66基材材料，质量平衡分配法生产，其再生材料含量高达83%，可将产品碳足迹降低45%。

深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com