模块数量更少两电平电路取代传统三电平电路有助于设备小型化
发布时间:2024/9/10 19:20:07 访问次数:105
使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品,DC 1500V将得到广泛应用.MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。
此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值），与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%。这些特性均有助于提高设备效率。
由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。
新产品是碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。
目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%。这一改善有助于降低设备功率损耗。
ADE9153A IC用三个高性能模数转换器(ADC)制作而成,具有88dB信噪比(SNR)和一系列高级计量功能。
这些测量包括线路电压和电流、有功电能、基本无功电能、视在电能计算以及电流和电压有效值计算。ADE9153A可进行各种电源品质测量，如过零检测、行频周期计算、角度测量、电压骤降与骤升、峰值和过电流检测以及功率因数测量。
ADE9153A的每个输入通道均支持灵活且独立的增益级。电流通道A适用于分流器，具有灵活的增益级，并提供从62.5mV峰值到26.04mV峰值的全量程输入范围。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品,DC 1500V将得到广泛应用.MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。
此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值），与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%。这些特性均有助于提高设备效率。
由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。
新产品是碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。
目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%。这一改善有助于降低设备功率损耗。
ADE9153A IC用三个高性能模数转换器(ADC)制作而成,具有88dB信噪比(SNR)和一系列高级计量功能。
这些测量包括线路电压和电流、有功电能、基本无功电能、视在电能计算以及电流和电压有效值计算。ADE9153A可进行各种电源品质测量，如过零检测、行频周期计算、角度测量、电压骤降与骤升、峰值和过电流检测以及功率因数测量。
ADE9153A的每个输入通道均支持灵活且独立的增益级。电流通道A适用于分流器，具有灵活的增益级，并提供从62.5mV峰值到26.04mV峰值的全量程输入范围。
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