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在290μs内测量所有6个电池单元选择较低的数据采集速率以便降噪

发布时间:2024/9/10 8:33:19 访问次数:53

单通道栅极驱动器,专门针对驱动绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)进行了优化。iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

去饱和检测电路集成在ADuM4136上,提供高压短路IGBT工作保护。

去饱和保护包含降低噪声干扰的功能,比如在开关动作之后提供312ns(典型值)的屏蔽时间,用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537μA(典型值)电流源可确保很少的器件数量,且如需提高抗噪水平,内部消隐开关也支持增加外部电流源。

特征描述极低的VF:1.25V

同类产品中极其优秀的品质因数 (QcxVF)

无反向恢复电荷

与温度无关的开关行为

高dv/dt稳定性

优化热性能

LTC6810具有0V至5V的电池测量范围,适合大多数电池化学应用。可在290μs内测量所有6个电池单元,并选择较低的数据采集速率以便降噪。

可将多个LTC6810-1器件串联,以便同时监测很长的高压电池串。每个LTC6810具有isoSPI接口,用于高速、RF抗扰、远距离通信。

LTC6810-1支持双向操作,甚至可与断线进行通信。多个器件使用LTC6810-2与主机处理器并联,且每个器件单独寻址。

西旗科技(销售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

单通道栅极驱动器,专门针对驱动绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)进行了优化。iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

去饱和检测电路集成在ADuM4136上,提供高压短路IGBT工作保护。

去饱和保护包含降低噪声干扰的功能,比如在开关动作之后提供312ns(典型值)的屏蔽时间,用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537μA(典型值)电流源可确保很少的器件数量,且如需提高抗噪水平,内部消隐开关也支持增加外部电流源。

特征描述极低的VF:1.25V

同类产品中极其优秀的品质因数 (QcxVF)

无反向恢复电荷

与温度无关的开关行为

高dv/dt稳定性

优化热性能

LTC6810具有0V至5V的电池测量范围,适合大多数电池化学应用。可在290μs内测量所有6个电池单元,并选择较低的数据采集速率以便降噪。

可将多个LTC6810-1器件串联,以便同时监测很长的高压电池串。每个LTC6810具有isoSPI接口,用于高速、RF抗扰、远距离通信。

LTC6810-1支持双向操作,甚至可与断线进行通信。多个器件使用LTC6810-2与主机处理器并联,且每个器件单独寻址。

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