1-3微安的超低功耗在电池供电应用中有效地延长系统使用寿命
发布时间:2024/9/5 9:00:19 访问次数:184
HL8512/22通过控制外置NMOS，实现反向电流阻断(HL8511/21不提供该功能)。这些E-Fuse产品通过集成了功率FET，来管理负载电流、控制输出电压和调节输出斜率。
一旦发生热关断，E-Fuse将持续监控设备的温度。当温度降低至设定值以下时，HL8511/21和HL8512/22有自动重启和关闭锁存两个版本。
AMR132x和AMR134xAMR磁开关传感器系列,进一步扩展了其AMR磁传感器的产品组合。
AMR1320和AMR1321具有1~3微安的超低功耗,可在电池供电的应用中有效地延长系统的使用寿命。
如果设备在开发过程后期才出现EMI问题，或者当现场部署的设备在经过改造后才发现有新的EMI问题时，这种功能就尤其有用。它还提供了电路板和面板安装连接器选项，用于提供完整的屏蔽。
在将电源连接器设置在DC/DC转换器附近的情况下,例如在电动汽车充电基础设施中，大电流传输可能会导致波形失真,从而给转换器带来压力。通过提供易于组装的后壳屏蔽选项,我们现在为我们的Kona系列产品增加了一个宝贵的特点,借此就可解决此类问题。
与常规的单轴响应的磁开关传感器不同，这些传感器可检测360°之内任何方向的磁场。
TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极的红外辐射的加热效应很敏感。
SOI的架构利用意法半导体成熟的MEMS（微机电系统）工艺简化了微机械加工过程，对TMOS晶体管进行热隔离，确保温度感测的准确度。
TMOS的电源电压低于使晶体管完全导通所需的阈值电压。在这种亚阈状态下,漏极-源极电流高度依赖温度，能够对极低的红外辐射做出反应,产生可以准确测量的电压信号。这个物理特性使传感器能够通过红外辐射检测人的存在，与人是在移动还是静止无关。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
HL8512/22通过控制外置NMOS，实现反向电流阻断(HL8511/21不提供该功能)。这些E-Fuse产品通过集成了功率FET，来管理负载电流、控制输出电压和调节输出斜率。
一旦发生热关断，E-Fuse将持续监控设备的温度。当温度降低至设定值以下时，HL8511/21和HL8512/22有自动重启和关闭锁存两个版本。
AMR132x和AMR134xAMR磁开关传感器系列,进一步扩展了其AMR磁传感器的产品组合。
AMR1320和AMR1321具有1~3微安的超低功耗,可在电池供电的应用中有效地延长系统的使用寿命。
如果设备在开发过程后期才出现EMI问题，或者当现场部署的设备在经过改造后才发现有新的EMI问题时，这种功能就尤其有用。它还提供了电路板和面板安装连接器选项，用于提供完整的屏蔽。
在将电源连接器设置在DC/DC转换器附近的情况下,例如在电动汽车充电基础设施中，大电流传输可能会导致波形失真,从而给转换器带来压力。通过提供易于组装的后壳屏蔽选项,我们现在为我们的Kona系列产品增加了一个宝贵的特点,借此就可解决此类问题。
与常规的单轴响应的磁开关传感器不同，这些传感器可检测360°之内任何方向的磁场。
TMOS热敏器件对入射到晶体管栅极的红外辐射的加热效应很敏感。
SOI的架构利用意法半导体成熟的MEMS（微机电系统）工艺简化了微机械加工过程，对TMOS晶体管进行热隔离，确保温度感测的准确度。
TMOS的电源电压低于使晶体管完全导通所需的阈值电压。在这种亚阈状态下,漏极-源极电流高度依赖温度，能够对极低的红外辐射做出反应,产生可以准确测量的电压信号。这个物理特性使传感器能够通过红外辐射检测人的存在，与人是在移动还是静止无关。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
