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E-Fuse芯片还实时监控流向设备负载电流确保负载电流不超过限流阈值

发布时间:2024/9/5 8:57:07 访问次数:178

STHS34PF80采用意法半导体成熟可靠的绝缘体上硅(SOI) CMOS技术,在同一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。

STHS34PF80的传感器的电池续航时间更长,因此需要的充电次数或电池数量更少。

此外,标准CMOS制造技术能够确保晶圆成本效益和良率,同时利用亚微米晶体管可以降低传感器的尺寸。这与PIR传感器不同,PIR传感器的灵敏度可能取决于热电像素的大小。此外,片上集成的数字接口可以直接连接主机,无需外加模拟前端电路。

在工作期间,IN引脚电压超过欠压锁定阈值时,HL8511/21和HL8512/22开始检测EN/UV引脚电压阈值。

如果EN/UV 引脚电压超过VENR,则内部MOSFET使能,允许电流从IN引脚流向OUT引脚;如果EN/UV引脚电压低于VENF,则内部MOSFET关断。E-Fuse芯片还实时监控流向设备的负载电流,确保负载电流不超过限流阈值。

HL8511/21和HL8512/22具有热保护功能。当设备温度超过热关断阈值(通常为150°C)时,内部功率FET关断,断开负载与电源的连接。

CCG6和CCG10的额定输出功率为6W和10W,均可提供通孔安装和表面贴装封装,将该产品系列功率范围扩展为1.5W到10W。应用包括数据和电信,测试,测量,过程控制,广播和电池供电设备。

CCG6和CCG10系列包含36款不同电压和电流的型号,有3.3V, 5V, 12V, 15V单路输出,+/-12V和 +/-15V双路输出。双路输出型号也可以配置为单路24V 和 30V输出。

所有型号均可在4.5-18Vdc, 9-36Vdc或18-76Vdc的输入范围内工作,可支持5V, 12V, 24V和48V DC输入。4:1的输入范围可以帮助减少库存计划和采购管理,每个型号可以涵盖两种标称输入电压。

西旗科技(销售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

STHS34PF80采用意法半导体成熟可靠的绝缘体上硅(SOI) CMOS技术,在同一芯片上高效集成热敏MOSFET(TMOS)晶体管以及数字读出电路。

STHS34PF80的传感器的电池续航时间更长,因此需要的充电次数或电池数量更少。

此外,标准CMOS制造技术能够确保晶圆成本效益和良率,同时利用亚微米晶体管可以降低传感器的尺寸。这与PIR传感器不同,PIR传感器的灵敏度可能取决于热电像素的大小。此外,片上集成的数字接口可以直接连接主机,无需外加模拟前端电路。

在工作期间,IN引脚电压超过欠压锁定阈值时,HL8511/21和HL8512/22开始检测EN/UV引脚电压阈值。

如果EN/UV 引脚电压超过VENR,则内部MOSFET使能,允许电流从IN引脚流向OUT引脚;如果EN/UV引脚电压低于VENF,则内部MOSFET关断。E-Fuse芯片还实时监控流向设备的负载电流,确保负载电流不超过限流阈值。

HL8511/21和HL8512/22具有热保护功能。当设备温度超过热关断阈值(通常为150°C)时,内部功率FET关断,断开负载与电源的连接。

CCG6和CCG10的额定输出功率为6W和10W,均可提供通孔安装和表面贴装封装,将该产品系列功率范围扩展为1.5W到10W。应用包括数据和电信,测试,测量,过程控制,广播和电池供电设备。

CCG6和CCG10系列包含36款不同电压和电流的型号,有3.3V, 5V, 12V, 15V单路输出,+/-12V和 +/-15V双路输出。双路输出型号也可以配置为单路24V 和 30V输出。

所有型号均可在4.5-18Vdc, 9-36Vdc或18-76Vdc的输入范围内工作,可支持5V, 12V, 24V和48V DC输入。4:1的输入范围可以帮助减少库存计划和采购管理,每个型号可以涵盖两种标称输入电压。

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