节省空间和能源的封装的需求以此取代旧的SOT223和SOT89封装
发布时间:2024/9/4 8:14:57 访问次数:84
功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50V和80V,支持NPN和PNP极性的1A至3A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。
通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT,可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求,以此取代旧的SOT223和SOT89封装。
高压(HV)舌簧继电器产品线,包括新推出的表面贴装型Series 219 reed继电器和单列直插式Series 104 reed继电器的5kV版本。
这款继电器能够轻松切换高达1kV的电压,并且是目前市场上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封装的表面贴装高压继电器。所有触点配置都提供3V、5V或12V线圈电压选项,并且1 Form A封装的切换绝缘电压最高可达3kV,1 Form B封装最高可达2kV,而2 Form A封装则最高可达1.5kV。
微型单列直插式(SIL/SIP)舌簧继电器,具有高达5kV的绝缘电压和高达1.5kV的切换电压。
这种继电器特别适合那些需要紧凑设计的应用,因为这些器件的堆叠高度仅为6.35mm。尽管体积小巧,但这款继电器依然保持了可靠的性能,确保了高压切换或控制操作的有效性和安全性。
新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。
载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。
这一设计实现了低于1 mV/dec的亚阈值摆幅,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限(60 mV/dec)。
此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻,展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力。
该工作开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员,并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。
功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50V和80V,支持NPN和PNP极性的1A至3A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。
通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT,可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求,以此取代旧的SOT223和SOT89封装。
高压(HV)舌簧继电器产品线,包括新推出的表面贴装型Series 219 reed继电器和单列直插式Series 104 reed继电器的5kV版本。
这款继电器能够轻松切换高达1kV的电压,并且是目前市场上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封装的表面贴装高压继电器。所有触点配置都提供3V、5V或12V线圈电压选项,并且1 Form A封装的切换绝缘电压最高可达3kV,1 Form B封装最高可达2kV,而2 Form A封装则最高可达1.5kV。
微型单列直插式(SIL/SIP)舌簧继电器,具有高达5kV的绝缘电压和高达1.5kV的切换电压。
这种继电器特别适合那些需要紧凑设计的应用,因为这些器件的堆叠高度仅为6.35mm。尽管体积小巧,但这款继电器依然保持了可靠的性能,确保了高压切换或控制操作的有效性和安全性。
新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。
载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。
这一设计实现了低于1 mV/dec的亚阈值摆幅,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限(60 mV/dec)。
此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻,展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力。
该工作开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员,并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。