电阻和B值容差通过金丝键合安装于LD附近确保温度传感高度准确
发布时间:2024/8/28 8:42:29 访问次数:58
电流隔离功能的氮化镓(GaN)晶体管栅极驱动器,新产品STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
在整个工作温度范围内,dV/dt瞬变电压耐量为±100V/ns,可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS具有独立的灌电流和源电流引脚,可轻松调整栅极驱动操作方式和性能。
除了集成电流隔离功能外,新驱动器还具有内置系统保护功能,包括针对GaN技术优化的热关断和欠压锁定(UVLO),确保驱动器的可靠性和耐变性。
开关狭小的工作范围可确保较低的磁传播,而其斩波稳定设计提供最小的开关点漂移和卓越的温度稳定性。为了提高耐用性,这些器件具有强大的人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护:AH138x系列为 8kV,AH139x系列为6kV。
这款单通道驱动器可连接最高1200V的电压轨,而STGAP2GSN窄版可连接高达1700V的电压轨,栅极驱动电压最高15V。
由于LD的波长会随着温度变化而变,因此对LD的温度进行控制是提高其性能关键所在。
NTCWS系列温度传感器支持极小的电阻和B值容差(±1%),可通过金丝键合安装于LD附近,以确保温度传感高度准确。
NTCWS系列热敏电阻采用结构紧凑的无铅化设计,可在-40~125℃的温度范围内运行。
B值为3930K±1%的传感器(NTCWS3UF103FC1GT和NTCWS3UF103HC1GT),计划在未来进一步发布具备其他特征的产品。
电流隔离功能的氮化镓(GaN)晶体管栅极驱动器,新产品STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
在整个工作温度范围内,dV/dt瞬变电压耐量为±100V/ns,可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS具有独立的灌电流和源电流引脚,可轻松调整栅极驱动操作方式和性能。
除了集成电流隔离功能外,新驱动器还具有内置系统保护功能,包括针对GaN技术优化的热关断和欠压锁定(UVLO),确保驱动器的可靠性和耐变性。
开关狭小的工作范围可确保较低的磁传播,而其斩波稳定设计提供最小的开关点漂移和卓越的温度稳定性。为了提高耐用性,这些器件具有强大的人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护:AH138x系列为 8kV,AH139x系列为6kV。
这款单通道驱动器可连接最高1200V的电压轨,而STGAP2GSN窄版可连接高达1700V的电压轨,栅极驱动电压最高15V。
由于LD的波长会随着温度变化而变,因此对LD的温度进行控制是提高其性能关键所在。
NTCWS系列温度传感器支持极小的电阻和B值容差(±1%),可通过金丝键合安装于LD附近,以确保温度传感高度准确。
NTCWS系列热敏电阻采用结构紧凑的无铅化设计,可在-40~125℃的温度范围内运行。
B值为3930K±1%的传感器(NTCWS3UF103FC1GT和NTCWS3UF103HC1GT),计划在未来进一步发布具备其他特征的产品。