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器件的数字I2C接口还可用于检索数字输出数据以及生成警报

发布时间:2024/8/27 23:56:56 访问次数:83

透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外(IR)发光二极管--- TSHF5211,扩充其光电子产品组合。Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达-1.0mV/K,辐照强度和升降时间优于前代器件。

发光二极管100mA驱动电流下典型辐照强度达235mW/sr,比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15ns,典型正向电压低至1.5V,半强角只有 10,适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中,TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。

器件的开关性能与其他产品进行对比时,特别看重是否能通过低QG(tot)和低QGD实现高效率。

与当前可用的器件相比,这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100V产品组合,再发布一款LFPAK88 MOSFET,在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on),同时在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。

为了进一步支持这些器件的设计导入和验证,Nexperia屡获殊荣的交互式数据手册,为工程师提供了全面且用户友好的器件行为分析。

带输出缓冲器的数模转换器(DAC),支持模拟电压输出和4mA至20mA电流回路。

MAX40109的传感器AFE同时提供模拟和数字输出,工作电源电压范围为3V至36V,工作温度范围为−40°C至+125°C。该模拟前端可连接基于电阻桥的压力传感器,并且该器件还可以直接通过电阻桥或外部热敏电阻测量温度。

MAX40109的数字接口可对该器件的校准存储器、前端可编程增益放大器的增益,以及用于驱动传感器电桥的内部电流源进行编程。该器件的数字I2C接口还可用于检索数字输出数据以及生成警报。

深圳市高胜电子经营部https://gs073.51dzw.com

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发光二极管100mA驱动电流下典型辐照强度达235mW/sr,比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15ns,典型正向电压低至1.5V,半强角只有 10,适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中,TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。

器件的开关性能与其他产品进行对比时,特别看重是否能通过低QG(tot)和低QGD实现高效率。

与当前可用的器件相比,这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100V产品组合,再发布一款LFPAK88 MOSFET,在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on),同时在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。

为了进一步支持这些器件的设计导入和验证,Nexperia屡获殊荣的交互式数据手册,为工程师提供了全面且用户友好的器件行为分析。

带输出缓冲器的数模转换器(DAC),支持模拟电压输出和4mA至20mA电流回路。

MAX40109的传感器AFE同时提供模拟和数字输出,工作电源电压范围为3V至36V,工作温度范围为−40°C至+125°C。该模拟前端可连接基于电阻桥的压力传感器,并且该器件还可以直接通过电阻桥或外部热敏电阻测量温度。

MAX40109的数字接口可对该器件的校准存储器、前端可编程增益放大器的增益,以及用于驱动传感器电桥的内部电流源进行编程。该器件的数字I2C接口还可用于检索数字输出数据以及生成警报。

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