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反射器无需盖玻片减少光学损耗并提高光输出电光转换效率高达3.7%

发布时间:2024/8/25 9:52:05 访问次数:79

新的1200V沟槽型场截止(FS7)IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压,及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率,从而减少磁性元件的尺寸,提高功率密度并降低系统成本。

对于高功率能源基础设施应用,FS7器件的正温度系数使其能够轻松实现并联运行。

由于能效在所有高开关频率的能源基础设施应用中极为关键,所以我们专注于降低关断损耗,这新系列的IGBT提供极佳的开关性能,其业界领先的性能使设计人员能够在要求非常高的高功率能源基础设施应用中满足最具挑战的能效要求。

符合视频速度等级60(Video Speed Class 60)的闪迪至尊超极速™SDXC™UHS-II存储卡,进一步拓展了闪迪至尊超极速存储卡系列产品。

闪迪至尊超极速 SDXC UHS-II存储卡(V60)旨在为资深摄影爱好者与专业影视工作者提供高质量、高耐用性、高性价比的理想存储解决方案,帮助他们自由挥洒灵感、分享创意成果。

OSLON®UV 3535 LED拥有紧凑的设计、领先的效率和卓越的品质,是水净化、空调系统消杀等消费和工业应用的理想选择。

创新的封装设计集成了反射器,无需盖玻片,减少了光学损耗并提高光输出,电光转换效率高达3.7%。反射器可以收集芯片的辐射,并以120°的视角反射光线。产品采用3.5mm×3.5mm的标准尺寸,由于没有盖玻片和透镜,便于系统开发者灵活采用标准UV-C透镜及优化光输出。

其升压转换器使用小型0.47µH电感器,切换频率为固定的1.8MHz。这为工程师提供了一个解决方案,大幅减少电路板空间,以及减少物料清单(BOM)。它具有低静态电流(<1µA)和自动关闭/唤醒功能,有助于延长电池供电应用的操作时间。

深圳市俊晖半导体有限公司http://jhbdt1.51dzw.com

新的1200V沟槽型场截止(FS7)IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压,及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率,从而减少磁性元件的尺寸,提高功率密度并降低系统成本。

对于高功率能源基础设施应用,FS7器件的正温度系数使其能够轻松实现并联运行。

由于能效在所有高开关频率的能源基础设施应用中极为关键,所以我们专注于降低关断损耗,这新系列的IGBT提供极佳的开关性能,其业界领先的性能使设计人员能够在要求非常高的高功率能源基础设施应用中满足最具挑战的能效要求。

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其升压转换器使用小型0.47µH电感器,切换频率为固定的1.8MHz。这为工程师提供了一个解决方案,大幅减少电路板空间,以及减少物料清单(BOM)。它具有低静态电流(<1µA)和自动关闭/唤醒功能,有助于延长电池供电应用的操作时间。

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