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输出电压介于峰值交流电输入电压和150V之间以效率驱动准谐振反激变换器

发布时间:2024/8/24 19:11:00 访问次数:77

1GB DDR4内存、一个microSD卡插槽、一个千兆以太网端口,以及带有硬件扩展选项的其他接口(包括用于连接MikroElektronika Click Boards™、40引脚Raspberry Pi HAT和MIPI®视频的接头),所有这些均可通过I2C和SPI协议进行控制,以实现快速原型开发。

Discovery套件还包含一个板载FlashPro5编程器和一个预安装的DSP FIR滤波器,可借助USB转JTAG通道,对PolarFire FPGA的嵌入式数学模块功能进行编程、调试和展示。Libero®SoC设计软件可从Microchip的网站下载,新用户可获得免费的Silver许可证以便开始使用。

Pulsiv OSMIUM技术可产生高压直流电(HVDC)输出,该输出的电压介于峰值交流电输入电压和150V之间,能以极大效率驱动准谐振反激变换器。更宽的电压范围显著降低了初级侧电感,从而能够使用Pulsiv与磁性器件专家Frenetic合作开发的EQ20转换器。

磁性器件专家团队已经证明,Pulsiv OSMIUM技术可以最大限度地提高效率,并将反激变换器的尺寸缩小到我们前所未见的水平。

这一重要发展将帮助客户提高性能、缩小尺寸、降低设计成本,我们很高兴能参与这一创新解决方案。

Pickering Electronics的Series 219 HV SMD(表面贴装设备)舌簧继电器非常适合电动汽车充电站的测试工作。

这款继电器能够轻松切换高达1kV的电压,并且是目前市场上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封装的表面贴装高压继电器。

所有触点配置都提供3V、5V或12V线圈电压选项,并且1 Form A封装的切换绝缘电压最高可达3kV,1 Form B封装最高可达2kV,而2 Form A封装则最高可达1.5kV。

深圳市俊晖半导体有限公司http://jhbdt1.51dzw.com

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Pulsiv OSMIUM技术可产生高压直流电(HVDC)输出,该输出的电压介于峰值交流电输入电压和150V之间,能以极大效率驱动准谐振反激变换器。更宽的电压范围显著降低了初级侧电感,从而能够使用Pulsiv与磁性器件专家Frenetic合作开发的EQ20转换器。

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这款继电器能够轻松切换高达1kV的电压,并且是目前市场上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封装的表面贴装高压继电器。

所有触点配置都提供3V、5V或12V线圈电压选项,并且1 Form A封装的切换绝缘电压最高可达3kV,1 Form B封装最高可达2kV,而2 Form A封装则最高可达1.5kV。

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