二极管两端反向电压高到一定值时将管子击穿失去单向导电能力
发布时间:2024/8/8 7:44:42 访问次数:100
低功耗LTE技术的蜂窝物联网器件,具有先进的处理能力和强大的安全功能,封装面积仅为10mmx16mm,是开发紧凑型、低功耗蜂窝物联网资产追踪应用理想的解决方案。
nRF9161 SiP中集成了可编程Arm Cortex-M33片上系统(SoC)、射频前端、具有GNSS和DECT NR+功能的LTE调制解调器、电源管理系统,以及必要的无源元件和晶体,可以同时支持卫星+蜂窝无线定位的设计要求,满足全场景的应用覆盖。
与前一代的nRF9160 SiP相比,nRF9161具有多项增强功能,包括支持DECT NR+和3GPP版本14 LTE-M/NB-IoT,可以实现更安全、长距离、可扩展的大规模mesh应用,这无疑会为资产追踪产品功能的扩展带来更大的想象空间。
PN结的设计影响了二极管的击穿电压。击穿电压是指在反向偏置状态下,当反向电压超过一定值时,PN结会发生击穿并导致电流快速增加的现象。合理设计PN结可以提高二极管的击穿电压,从而提高最高反向工作电压。
最高反向工作电压(Udrm)是指二极管在反向偏置状态下能够安全工作的最大电压。它是二极管的关键参数之一,对于确保二极管在实际应用中的稳定性和可靠性至关重要。
CC2541F256RHAR
SAR型ADC具有低延迟和动态功耗与吞吐速率成比例的固有优点。它们常用于通道复用架构,非常适合于检测和监控功能。
光收发器模块采用的多路复用数据采集系统需要高通道密度,可穿戴医疗设备要求小尺寸和低功耗,来自多个传感器的信号需要监控,多个输入通道复用到单个或多个ADC。
多路复用数据采集系统的主要挑战之一是,当输入切换到下一通道时,它需要快速响应接近满量程幅度的步进输入,以使建立时间或串扰问题较小化。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
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nRF9161 SiP中集成了可编程Arm Cortex-M33片上系统(SoC)、射频前端、具有GNSS和DECT NR+功能的LTE调制解调器、电源管理系统,以及必要的无源元件和晶体,可以同时支持卫星+蜂窝无线定位的设计要求,满足全场景的应用覆盖。
与前一代的nRF9160 SiP相比,nRF9161具有多项增强功能,包括支持DECT NR+和3GPP版本14 LTE-M/NB-IoT,可以实现更安全、长距离、可扩展的大规模mesh应用,这无疑会为资产追踪产品功能的扩展带来更大的想象空间。
PN结的设计影响了二极管的击穿电压。击穿电压是指在反向偏置状态下,当反向电压超过一定值时,PN结会发生击穿并导致电流快速增加的现象。合理设计PN结可以提高二极管的击穿电压,从而提高最高反向工作电压。
最高反向工作电压(Udrm)是指二极管在反向偏置状态下能够安全工作的最大电压。它是二极管的关键参数之一,对于确保二极管在实际应用中的稳定性和可靠性至关重要。
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SAR型ADC具有低延迟和动态功耗与吞吐速率成比例的固有优点。它们常用于通道复用架构,非常适合于检测和监控功能。
光收发器模块采用的多路复用数据采集系统需要高通道密度,可穿戴医疗设备要求小尺寸和低功耗,来自多个传感器的信号需要监控,多个输入通道复用到单个或多个ADC。
多路复用数据采集系统的主要挑战之一是,当输入切换到下一通道时,它需要快速响应接近满量程幅度的步进输入,以使建立时间或串扰问题较小化。
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