变压器导体不理想性与初级和次级绕组串联的电阻元件的存在
发布时间:2024/8/2 23:01:31 访问次数:114
在电压变换中,还考虑了铜损耗和铁损耗,电阻损耗是由于焦耳效应引起的,主要是由初级和次级绕组的电阻引起的,而电感损耗则取决于构成磁芯的材料和叠片的类型。
为了尽量减少损耗,有必要研究磁芯的几何形状,特别是其材料(铜、铝或其他)、电导体的形状以及具有不同磁导率的磁性材料的质量。
任何类型的电力变压器制造商,无论是小型、中型还是大型,都必须遵守政府指令设定的能源效率和生态设计目标,以降低这些设备的能耗。
LM13700MX/NOPB
单线调试(SWD)接口连接微控制器交换数据,同时支持直接固件更新,修复软件错误,启用新功能。EVLDRIVE101-HPD参考设计的电源级采用STL220N6F7 60V STripFET F7 MOSFET功率晶体管,1.2mΩ的典型Rds(on)导通电阻可维持驱动能效,简化电机即插即用连接。快速上电功能可在电机闲置时断开电源,节省电能,延长电池供电设备的续航时间。
驱动芯片内置的保护功能可确保系统安全和高能效,其中包括功率级电路MOSFET功率管的Vds电压监测,以及欠压锁定(UVLO)、过热保护和交叉导通预防。
铁磁材料的磁导率受到限制,绕组由导体组成,其特点是电阻小,由于焦耳效应导致加热和能量损失。此外,铁磁材料中也会产生涡流,这也取决于通过变压器的交流电的频率。
请注意,由于变压器导体的不理想性,与初级和次级绕组(R1和R2)串联的电阻元件的存在,在系统运行期间会产生一定比例的热量。
由于黑色金属材料的损耗,磁滞引入了另一种耗散,由于Rm而产生额外的热量。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
在电压变换中,还考虑了铜损耗和铁损耗,电阻损耗是由于焦耳效应引起的,主要是由初级和次级绕组的电阻引起的,而电感损耗则取决于构成磁芯的材料和叠片的类型。
为了尽量减少损耗,有必要研究磁芯的几何形状,特别是其材料(铜、铝或其他)、电导体的形状以及具有不同磁导率的磁性材料的质量。
任何类型的电力变压器制造商,无论是小型、中型还是大型,都必须遵守政府指令设定的能源效率和生态设计目标,以降低这些设备的能耗。
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铁磁材料的磁导率受到限制,绕组由导体组成,其特点是电阻小,由于焦耳效应导致加热和能量损失。此外,铁磁材料中也会产生涡流,这也取决于通过变压器的交流电的频率。
请注意,由于变压器导体的不理想性,与初级和次级绕组(R1和R2)串联的电阻元件的存在,在系统运行期间会产生一定比例的热量。
由于黑色金属材料的损耗,磁滞引入了另一种耗散,由于Rm而产生额外的热量。
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