受2100V雪崩电压和1mA雪崩电流实现业内领先耐压和抗雪崩能力
发布时间:2024/8/2 19:21:28 访问次数:105
NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。
无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压.
通过保证原边导体和副边侧端子之间的爬电距离和电气间隙来实现产品的绝缘性能，可以使用在超过650V的高耐压应用中。
在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。
在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。
新品是一款三相中压高速栅极驱动IC，专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管或IGBT而设计，适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案。
GHD3440具备优秀的驱动能力和快速响应能力，可在短时间内对输入信号或负载变化做出准确的响应，有助于提高电机运行效率；同时可有效放大电路控制信号，实现对电机高精度、高速度、低功耗控制，为用户提供更好的开发使用体验。
GHD3440可提供TSSOP20及QFN24封装,有助于节省板上空间占用,降低材料成本,提高系统可靠性。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
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无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压.
通过保证原边导体和副边侧端子之间的爬电距离和电气间隙来实现产品的绝缘性能，可以使用在超过650V的高耐压应用中。
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