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新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET

发布时间:2024/8/2 9:05:29 访问次数:103

一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”,该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。

通过进一步改进ROHM多年来铸就的“电路设计技术”、“工艺技术”和“封装技术”,成功地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。

新产品采用了WLCSP封装,该封装利用ROHM自有的封装技术将引脚间距减小到了0.3mm。与以往产品相比,尺寸减小了约69%;与以往的小型产品相比,尺寸减小了约46%。

高压集成半桥(IHB)电机驱动器IC产品系列BridgeSwitch™-2,进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案,新产品适合高达1马力 (746W)的应用场景。

新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET,内部采用无损耗的电流检测,可提供高达99%的逆变器效率。

BridgeSwitch-2由Power Integrations的MotorXpert™软件套件提供支持,其中包括单相梯形控制和三相无传感器磁场定向控制(FOC)模块,可加快逆变器的开发速度。

 

LM2575SX-5.0/NOPB

它与磁极距为0.4mm的多极磁栅配合使用。当传感器沿磁栅移动时,其两个推挽式TMR半桥结构输出相位差为90°的正弦和余弦信号。

在规定的待机功耗限值下,可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多的可用功率。

MDT同时提供0.4mm磁极距的高精度磁栅,以配合TMR4101使用,磁栅的长度和宽度可以根据应用需求进行定制。

TMR4101与磁栅的配合使用,在典型应用中可以实现±1微米以内的重复定位精度。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司

一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”,该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。

通过进一步改进ROHM多年来铸就的“电路设计技术”、“工艺技术”和“封装技术”,成功地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。

新产品采用了WLCSP封装,该封装利用ROHM自有的封装技术将引脚间距减小到了0.3mm。与以往产品相比,尺寸减小了约69%;与以往的小型产品相比,尺寸减小了约46%。

高压集成半桥(IHB)电机驱动器IC产品系列BridgeSwitch™-2,进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案,新产品适合高达1马力 (746W)的应用场景。

新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET,内部采用无损耗的电流检测,可提供高达99%的逆变器效率。

BridgeSwitch-2由Power Integrations的MotorXpert™软件套件提供支持,其中包括单相梯形控制和三相无传感器磁场定向控制(FOC)模块,可加快逆变器的开发速度。

 

LM2575SX-5.0/NOPB

它与磁极距为0.4mm的多极磁栅配合使用。当传感器沿磁栅移动时,其两个推挽式TMR半桥结构输出相位差为90°的正弦和余弦信号。

在规定的待机功耗限值下,可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多的可用功率。

MDT同时提供0.4mm磁极距的高精度磁栅,以配合TMR4101使用,磁栅的长度和宽度可以根据应用需求进行定制。

TMR4101与磁栅的配合使用,在典型应用中可以实现±1微米以内的重复定位精度。

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