导通电阻值9mΩ在高压多千瓦车载应用中减少传导损耗并提高效率
发布时间:2024/7/29 20:55:44 访问次数:112
750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达60mΩ,非常适合车载充电器,DC/DC转换器和正温度系数加热器模块等电动汽车类应用。
UJ4SC075009B7S在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。
第四代SiC FET采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置,将SiC JFET与硅基MOSFET合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。
相对有线方案，无线方案更偏重能效和连接的稳定性。为此，该无线方案增加以下功能：支持大容量1-2节锂电池充放电管理；无线模式下超低运行功耗远低于行业标准；USB/2.4G同时支持1kHz稳定回报率；具备更低的睡眠功耗，一级低功耗模式下<200uA，二级休眠模式下<100uA.
多种连接模式切换逻辑可自定义；支持硬件开关/旋钮切换，支持自定义各种快捷键切换；支持在线USB/无线升级固件。
Coval的多级技术通过级联供应多个文丘里阶段的压缩空气，并结合它们各自的吸气流量，最大化压缩空气的能量利用。中间阀门逐步隔离每个阶段，以获得真空水平。这种技术能在低真空水平下生成重要的吸气流量。
这一创新体现了COVAL致力于为工业提供高效节能解决方案的承诺。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达60mΩ,非常适合车载充电器,DC/DC转换器和正温度系数加热器模块等电动汽车类应用。
UJ4SC075009B7S在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。
第四代SiC FET采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置,将SiC JFET与硅基MOSFET合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。
相对有线方案，无线方案更偏重能效和连接的稳定性。为此，该无线方案增加以下功能：支持大容量1-2节锂电池充放电管理；无线模式下超低运行功耗远低于行业标准；USB/2.4G同时支持1kHz稳定回报率；具备更低的睡眠功耗，一级低功耗模式下<200uA，二级休眠模式下<100uA.
多种连接模式切换逻辑可自定义；支持硬件开关/旋钮切换，支持自定义各种快捷键切换；支持在线USB/无线升级固件。
Coval的多级技术通过级联供应多个文丘里阶段的压缩空气，并结合它们各自的吸气流量，最大化压缩空气的能量利用。中间阀门逐步隔离每个阶段，以获得真空水平。这种技术能在低真空水平下生成重要的吸气流量。
这一创新体现了COVAL致力于为工业提供高效节能解决方案的承诺。
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