低导通电阻和体二极管反向压降JFET方式带来了更低的传导损耗
发布时间:2024/7/29 20:53:48 访问次数:36
一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型D2PAK-7L封装中实现业界卓越的9mΩ导通电阻RDS(on)。
这一全新SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。
SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。
CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果，旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。
由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统，这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量，同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。
柔性印刷线路板虽常用于电池互连系统内，但却是电池互连系统的最大成本来源。
采用FDC技术进行柔性线路板生产，符合我们想要通过创新来为电动汽车行业打造可持续电池价值链的愿景，我们努力推动ENNOVI提供一种能够完美平衡电池制造商在成本、时间和性能方面迫切需求的CCS设计解决方案，从而帮助电池制造商实现按成本设计。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型D2PAK-7L封装中实现业界卓越的9mΩ导通电阻RDS(on)。
这一全新SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。
SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。
CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果，旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。
由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统，这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量，同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。
柔性印刷线路板虽常用于电池互连系统内，但却是电池互连系统的最大成本来源。
采用FDC技术进行柔性线路板生产，符合我们想要通过创新来为电动汽车行业打造可持续电池价值链的愿景，我们努力推动ENNOVI提供一种能够完美平衡电池制造商在成本、时间和性能方面迫切需求的CCS设计解决方案，从而帮助电池制造商实现按成本设计。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
