与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比采用导电材料
发布时间:2024/7/28 15:02:20 访问次数:656
随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据,而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理,因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加,以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。
SPI F-RAM存储器推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。
与SPI版本一样,新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性,例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。
这款存储器是丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在85摄氏度条件下的数据保存期长达120年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差,且配接力更低。
此外,MULTI-BEAM XLE连接器采用更薄的外壳设计,整体上减少了PCB上的空间占用,并提供了小功率端子版本,这也是业界公认的通用电源模块(UPM)端子。

凭借这些特性,该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。
由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术二极管电容电荷低至28nC,正向压降减小为1.35 V。
此外,器件25°C下典型反向漏电流仅为2.5 µA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。
MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子,与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比,采用了更厚(更高)的导电材料。
SPC5743PFK1AMLQ9
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据,而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理,因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加,以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。
SPI F-RAM存储器推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。
与SPI版本一样,新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性,例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。
这款存储器是丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在85摄氏度条件下的数据保存期长达120年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差,且配接力更低。
此外,MULTI-BEAM XLE连接器采用更薄的外壳设计,整体上减少了PCB上的空间占用,并提供了小功率端子版本,这也是业界公认的通用电源模块(UPM)端子。

凭借这些特性,该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。
由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术二极管电容电荷低至28nC,正向压降减小为1.35 V。
此外,器件25°C下典型反向漏电流仅为2.5 µA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。
MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子,与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比,采用了更厚(更高)的导电材料。
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