相应指令集确保对写入内置非易失数据阵列的数据的防篡改保存
发布时间:2024/7/23 22:46:49 访问次数:112
70nm工艺制造的512Mb DDR2 SDRAM存储器,应用到DRAM器件中最小工艺技术.
新的70nm保持了Samsung用在现今大多数DRAM生产所用的80nm和90nm工艺的连续性.但是,每个晶圆的芯片数量至少要比90nm技术的要增加100%.
这种新的媒体控制器器件为用户提供了高性能高质量高性价比的解决方案,补充了SST的NAND闪存盘控制器系列产品,进一步扩展了该系列的应用范围.SST的NAND闪存盘控制器允许设计者能创建基于闪存的海量数据存储解决方案,以适应用户的特殊应用.
这些完整的解决方案使FPGA用户能够快速实施并验证在不同数据速率和总线宽度下的专用存储器接口设计，从而加快产品的上市时间。
这些包括器件特性描述、数据输入电路以及存储器控制器的解决方案，均已在使用了行业领导厂商存储器的硬件上进行了充分验证。
1kb EEPROM阵列以及相应的指令集可确保对写入内置非易失数据阵列的数据的防篡改保存。
每个EEPROM页面的数据修改受SHA-1算法保护，同时还具有可编程写保护以及EPROM/OTP (一次性可编程)仿真模式。
一款特别为数码相机在弱光环境下提供照明的、距离长达3米的自动对焦高亮度发光二极管ASMT-FJ10.
ASMT-FJ10是目前市场上亮度最高的自动对焦LED，在20mA时的标准输出为18烛光(candela)。该器件的长宽分别为4.80mmx4.80mm，也是业内最小的封装尺寸的.
用于DRAM的70nm工艺技术所采用的几种技术创新包括Samsung的金属-绝缘体-金属(MIM)电容技术以及称作球形凹沟阵列晶体管(S-RACT)的3D晶体管架构.
用来克服堆栈DRAM单元的限制,大大地改善了数据刷新功能,特别是70nm 512Mb DRAM.新的SST55LC100,以扩充它的NAND闪存盘控制器系列.
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
70nm工艺制造的512Mb DDR2 SDRAM存储器,应用到DRAM器件中最小工艺技术.
新的70nm保持了Samsung用在现今大多数DRAM生产所用的80nm和90nm工艺的连续性.但是,每个晶圆的芯片数量至少要比90nm技术的要增加100%.
这种新的媒体控制器器件为用户提供了高性能高质量高性价比的解决方案,补充了SST的NAND闪存盘控制器系列产品,进一步扩展了该系列的应用范围.SST的NAND闪存盘控制器允许设计者能创建基于闪存的海量数据存储解决方案,以适应用户的特殊应用.
这些完整的解决方案使FPGA用户能够快速实施并验证在不同数据速率和总线宽度下的专用存储器接口设计，从而加快产品的上市时间。
这些包括器件特性描述、数据输入电路以及存储器控制器的解决方案，均已在使用了行业领导厂商存储器的硬件上进行了充分验证。
1kb EEPROM阵列以及相应的指令集可确保对写入内置非易失数据阵列的数据的防篡改保存。
每个EEPROM页面的数据修改受SHA-1算法保护，同时还具有可编程写保护以及EPROM/OTP (一次性可编程)仿真模式。
一款特别为数码相机在弱光环境下提供照明的、距离长达3米的自动对焦高亮度发光二极管ASMT-FJ10.
ASMT-FJ10是目前市场上亮度最高的自动对焦LED，在20mA时的标准输出为18烛光(candela)。该器件的长宽分别为4.80mmx4.80mm，也是业内最小的封装尺寸的.
用于DRAM的70nm工艺技术所采用的几种技术创新包括Samsung的金属-绝缘体-金属(MIM)电容技术以及称作球形凹沟阵列晶体管(S-RACT)的3D晶体管架构.
用来克服堆栈DRAM单元的限制,大大地改善了数据刷新功能,特别是70nm 512Mb DRAM.新的SST55LC100,以扩充它的NAND闪存盘控制器系列.
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