准谐振开关拓扑在230VAC和额定负载条件下效率高达87.5%
发布时间:2024/7/20 23:15:26 访问次数:80
在众多变换器拓扑结构中，反激式拓扑是最常用的一种，而在InnoSwitch5-Pro IC产品设计中，PI创新地将ZVS反激式拓扑与GaN互相结合，让原本普通的电源器件拥有了神奇的功效——开关损耗几乎为零，并且可以利用GaN低导通电阻的优势来降低导通损耗。随着器件温升的降低，可以实现更加紧凑的适配器布局，其元件数量远远少于非对称半桥（AHB）电路或有源钳位的方案设计。
bq25703A和bq25700A同步充电控制器可透过USB Type-C和其它USB埠为笔记型电脑、平板、行动电源、无人机和智慧家居应用等终端设备提供高效的充电。
电池充电控制器会在工作时产生一定热量，这个热量有一部分来源于开关损耗，所以，采用高效率转化方案来解决散热问题。
在如何提高效率减少热损耗方面，特有的输入电流优化(ICO)算法功不可没，ICO算法可自动检测输入功率的最大电容以优化电源，同时保持系统和充电电流的一致性，以确保利用最大输入功率。
PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。
PDA15F(15W)、PDA30F(30W)和PDA50F(50W)可提供5V、12V和24V三种输出电压以及相应的输出电流。 输出电压可通过输出电压电位器进行调节。
PDA系列采用优化的准谐振开关拓扑，在230VAC和额定负载条件下，效率高达87.5%。 与原有的PBA30F型相比，效率提高了5个百分点以上，从而减少了散热，增加了系统可靠性。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
在众多变换器拓扑结构中，反激式拓扑是最常用的一种，而在InnoSwitch5-Pro IC产品设计中，PI创新地将ZVS反激式拓扑与GaN互相结合，让原本普通的电源器件拥有了神奇的功效——开关损耗几乎为零，并且可以利用GaN低导通电阻的优势来降低导通损耗。随着器件温升的降低，可以实现更加紧凑的适配器布局，其元件数量远远少于非对称半桥（AHB）电路或有源钳位的方案设计。
bq25703A和bq25700A同步充电控制器可透过USB Type-C和其它USB埠为笔记型电脑、平板、行动电源、无人机和智慧家居应用等终端设备提供高效的充电。
电池充电控制器会在工作时产生一定热量，这个热量有一部分来源于开关损耗，所以，采用高效率转化方案来解决散热问题。
在如何提高效率减少热损耗方面，特有的输入电流优化(ICO)算法功不可没，ICO算法可自动检测输入功率的最大电容以优化电源，同时保持系统和充电电流的一致性，以确保利用最大输入功率。
PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。
PDA15F(15W)、PDA30F(30W)和PDA50F(50W)可提供5V、12V和24V三种输出电压以及相应的输出电流。 输出电压可通过输出电压电位器进行调节。
PDA系列采用优化的准谐振开关拓扑，在230VAC和额定负载条件下，效率高达87.5%。 与原有的PBA30F型相比，效率提高了5个百分点以上，从而减少了散热，增加了系统可靠性。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
