工业和通信应用功率转换提高功率密度和能效增强热性能
发布时间:2024/7/18 0:14:54 访问次数:90
新型80V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3mm x 3.3mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。
Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5V下逻辑电平导通简化电路驱动。
BS21xC-x系列提供1~8 Key触控按键供选择使用，配合适当的封装与输出接口设计，可以满足各类触控电子产品应用需求。其IC封装兼容BS81xC-x系列，可加速客户产品开发周期与降低成本。
新一代的STM32MP2系列工业级微处理器 (MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。
P沟道场效应管的电流方向是由源极流向漏极。沟道的导电特性和其附近的电场有关,该电场可由栅极和源极间的电位差来控制。
双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
新型80V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3mm x 3.3mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。
Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5V下逻辑电平导通简化电路驱动。
BS21xC-x系列提供1~8 Key触控按键供选择使用，配合适当的封装与输出接口设计，可以满足各类触控电子产品应用需求。其IC封装兼容BS81xC-x系列，可加速客户产品开发周期与降低成本。
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P沟道场效应管的电流方向是由源极流向漏极。沟道的导电特性和其附近的电场有关,该电场可由栅极和源极间的电位差来控制。
双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。
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