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1MB闪存消除对外部处理器需求降低了复杂性节省空间和成本

发布时间:2024/7/15 20:02:02 访问次数:45

模块采用紧凑型设计,尺寸仅为15.6mmx8.7mmx2mm,且使用符合蓝牙®MESH规范协议栈的蓝牙5.0,是智慧城市基础设施中物联网设备、工业mesh网络或工业4.0环境中机器人应用的理想选择:

Cortex®M4F处理器、256kB RAM和内置1MB闪存消除了对外部处理器的需求,从而降低了复杂性,并节省了空间和成本。

PAN1780模块的蓝牙®5.0功能可通过高速LE 2M PHY实现2Mbps的更高符号速率,且还能通过500kb/s或125kb/s的LE编码PHY支持更远的传输距离。


DRV8837CDSGR

全凹陷MIS栅极GaN功率晶体管比p-GaN HEMT具有更宽的栅极电压摆幅、更高的栅极可靠性和更低的栅极漏电流。

要充分发挥凹槽栅极方法的所有优势,还有许多挑战需要解决。MISFET会受到凹槽区域粗糙表面和电活性缺陷的影响,导致通道迁移率下降。因此,优化绝缘体和AlGaN/GaN之间的界面以限度地减少界面捕获状态并增强电流流动非常重要。控制绝缘体电荷也至关重要。

利用高电平有效输出驱动P沟道MOSFET非常简单,对于开漏拓扑来说尤为如此。

电压钳位元件对于固态断路器(SSCB)和混合断路器(HCB)来说都是必不可少的,以保护固态开关免受过电压损坏并吸收系统环路电感中的剩余能量。

本文从工作电压范围、浪涌电流能力、能量吸收能力、成本等方面比较了各种电压钳位元件(例如金属氧化物压敏电阻[MOV]、瞬态电压抑制[TVS]二极管、基于电容器的缓冲电路等)。

SSCB具有极快的故障隔离和断流而不产生电弧的优点。由于功率半导体器件(如碳化硅(SiC) MOSFET)的进步,SSCB 越来越受欢迎,这些器件可大大降低传导损耗。HCB通过将机械开关和固态开关集成在一起,具有传导损耗和断流速度相对较快的优点。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司







模块采用紧凑型设计,尺寸仅为15.6mmx8.7mmx2mm,且使用符合蓝牙®MESH规范协议栈的蓝牙5.0,是智慧城市基础设施中物联网设备、工业mesh网络或工业4.0环境中机器人应用的理想选择:

Cortex®M4F处理器、256kB RAM和内置1MB闪存消除了对外部处理器的需求,从而降低了复杂性,并节省了空间和成本。

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要充分发挥凹槽栅极方法的所有优势,还有许多挑战需要解决。MISFET会受到凹槽区域粗糙表面和电活性缺陷的影响,导致通道迁移率下降。因此,优化绝缘体和AlGaN/GaN之间的界面以限度地减少界面捕获状态并增强电流流动非常重要。控制绝缘体电荷也至关重要。

利用高电平有效输出驱动P沟道MOSFET非常简单,对于开漏拓扑来说尤为如此。

电压钳位元件对于固态断路器(SSCB)和混合断路器(HCB)来说都是必不可少的,以保护固态开关免受过电压损坏并吸收系统环路电感中的剩余能量。

本文从工作电压范围、浪涌电流能力、能量吸收能力、成本等方面比较了各种电压钳位元件(例如金属氧化物压敏电阻[MOV]、瞬态电压抑制[TVS]二极管、基于电容器的缓冲电路等)。

SSCB具有极快的故障隔离和断流而不产生电弧的优点。由于功率半导体器件(如碳化硅(SiC) MOSFET)的进步,SSCB 越来越受欢迎,这些器件可大大降低传导损耗。HCB通过将机械开关和固态开关集成在一起,具有传导损耗和断流速度相对较快的优点。

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