随着物联网的普及，白色家电和工业设备的自动化进程加速，使得产品的功耗不断增加，为了有效利用有限的地球资源和电力，对进一步降低功耗的需求不断提高，与此同时，对于负责功率转换工作的功率半导体之一IGBT以及配备了IGBT的模块，也提出了进一步降低功耗的要求。

另一方面，在IGBT IPM的开发中，为了降低功耗通常会优先考虑低损耗，致使产品噪声特性恶化的情况较多，这就需要改善噪声特性。

在这种情况下，新开发出四款可同时降低辐射噪声和功率损耗、并在这两方面均实现了业内超高特性的IGBT IPM系列产品。

GaN能够为电机驱动应用实现更好的死区时间优化：

与硅MOSFET相比，GaN FET具有更快的开关速度。这允许对死区时间进行更精确的控制，因为GaN FET的关断和开启时间明显更短。这种更快的开关速度允许对死区时间进行更严格的控制。

与硅MOSFET相比，GaN FET具有更低的栅极电容。这意味着它们可以更快地打开和关闭，从而缩短死区时间，而不会产生击穿电流的风险。这可以实现更高效的运行，并更好地优化电机驱动应用中的死区时间。

GaN FET没有像硅MOSFET那样的体二极管，从而消除了与硅器件相关的反向恢复电荷。这减少了电机驱动应用中所需的有效死区时间，因为无需考虑体二极管的恢复时间。

控制死区时间由控制器插入，可确保正有效死区时间。计算此死区时间是一个复杂的过程，需要考虑传播延迟、栅极电阻值和FET开启/关闭时间等因素。由于GaN器件没有体二极管反向恢复且开关时间更快，因此与硅MOSFET相比，GaN器件的死区时间更短。

这些电流不会产生任何有用的扭矩，但会导致电机绕组损耗增加，整体效率降低。

LM2594HVMX-5.0/NOPB

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司