低功耗低温存储器通过减少SRAM功率耗散来帮助数据中心更低温地运行
发布时间:2024/7/9 19:26:35 访问次数:85
串行SRAM产品线，容量最高可达4Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI™）的速度提高到143MHz。
新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
2Mb和4Mb串行SRAM器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期4位），将总线速度提高到143MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。
电解电容器的电容会随着时间的推移而偏离标称值，并且公差很大，通常为20%。
这意味着标称电容为47F的铝电解电容器的测量值预计在37.6F和56.4F之间。
当用于开关电源时，它们通常是限制电源使用寿命的关键组件，因此在这种应用中使用高质量的电容器。
随着电力价格的飙升，潜在的四倍功耗降低肯定会引起业界的广泛关注。
SureCore开发的技术使其能够为量子计算应用设计可低至4K运行的内存解决方案。这项技术同样适用于77K操作。
低温晶体管SPICE模型使我们能够移植和调整我们的低功耗内存技术，使其能够在低至4K的温度下工作。我们的目标不仅是开发低温运行的存储器，还要利用我们的节电技术，最大限度地降低低温恒温器的热负荷。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
串行SRAM产品线，容量最高可达4Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI™）的速度提高到143MHz。
新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
2Mb和4Mb串行SRAM器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期4位），将总线速度提高到143MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。
电解电容器的电容会随着时间的推移而偏离标称值，并且公差很大，通常为20%。
这意味着标称电容为47F的铝电解电容器的测量值预计在37.6F和56.4F之间。
当用于开关电源时，它们通常是限制电源使用寿命的关键组件，因此在这种应用中使用高质量的电容器。
随着电力价格的飙升，潜在的四倍功耗降低肯定会引起业界的广泛关注。
SureCore开发的技术使其能够为量子计算应用设计可低至4K运行的内存解决方案。这项技术同样适用于77K操作。
低温晶体管SPICE模型使我们能够移植和调整我们的低功耗内存技术，使其能够在低至4K的温度下工作。我们的目标不仅是开发低温运行的存储器，还要利用我们的节电技术，最大限度地降低低温恒温器的热负荷。
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