在常温下LM35不需要额外的校准处理即可达到土1/4℃的准确率
发布时间:2024/7/9 19:24:22 访问次数:80
集成温度传感器——摄氏温度传感器LM35由National Semiconductor 所生产的温度传感器，其输出电压与摄氏温度呈线性关系。0℃时输出电压为0V，温度每升高1℃，输出电压增加10mV。
在常温下，LM35不需要额外的校准处理即可达到土1/4℃的准确率。LM35有不同的封装形式，其封装引脚。电源供应模式有单电源与正、负双电源两种。
正、负双电源的供电模式可提供负温度的测量。两种接法的静止电流-温度关系是，在静止温度中自热效应低（0.08℃），单电源模式在25℃下静止电流约50μA，工作电压较宽，可在4～30V的供电电压范围内正常工作，非常省电。
无线标准有一个明显的趋势，即正朝着提供更高的无线性能、更大的带宽和更低的延迟方向发展。这不仅对于提高基础网络传输速度很重要，还支持了数量迅速增长的设备通过不同协议连接的需求.
超宽带（UWB）技术增加了精确定位功能，可用于“寻找我的X”等各种可能。
消费品制造商与工业品制造商看到了蓬勃发展的机会，他们迫切要求支持多种协议的选项，以实现他们对无缝无线通信系统的设想。
通过一套灵活可选的控制接口，您可以在几乎任何生产环境中控制计算机。
数据中心面临的一大挑战是耗电量。随着人工智能以大型语言模型的形式得到越来越多的应用，这一问题进一步加剧。
研究表明，将耗电量大的处理芯片冷却到77K左右的液氮温度，可将耗电量降低七倍，但这一优势有不到一半损失在冷却成本上。
对于在77K温度下运行的数据中心来说，也面临着类似的挑战，通过节省多达50%的内存功率，可以显著降低热耗散，并对冷却功率预算产生连锁效应。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
集成温度传感器——摄氏温度传感器LM35由National Semiconductor 所生产的温度传感器，其输出电压与摄氏温度呈线性关系。0℃时输出电压为0V，温度每升高1℃，输出电压增加10mV。
在常温下，LM35不需要额外的校准处理即可达到土1/4℃的准确率。LM35有不同的封装形式，其封装引脚。电源供应模式有单电源与正、负双电源两种。
正、负双电源的供电模式可提供负温度的测量。两种接法的静止电流-温度关系是，在静止温度中自热效应低（0.08℃），单电源模式在25℃下静止电流约50μA，工作电压较宽，可在4～30V的供电电压范围内正常工作，非常省电。
无线标准有一个明显的趋势，即正朝着提供更高的无线性能、更大的带宽和更低的延迟方向发展。这不仅对于提高基础网络传输速度很重要，还支持了数量迅速增长的设备通过不同协议连接的需求.
超宽带（UWB）技术增加了精确定位功能，可用于“寻找我的X”等各种可能。
消费品制造商与工业品制造商看到了蓬勃发展的机会，他们迫切要求支持多种协议的选项，以实现他们对无缝无线通信系统的设想。
通过一套灵活可选的控制接口，您可以在几乎任何生产环境中控制计算机。
数据中心面临的一大挑战是耗电量。随着人工智能以大型语言模型的形式得到越来越多的应用，这一问题进一步加剧。
研究表明，将耗电量大的处理芯片冷却到77K左右的液氮温度，可将耗电量降低七倍，但这一优势有不到一半损失在冷却成本上。
对于在77K温度下运行的数据中心来说，也面临着类似的挑战，通过节省多达50%的内存功率，可以显著降低热耗散，并对冷却功率预算产生连锁效应。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
