固态设计减轻对机电设备的担忧不会因为电弧或接触反弹而发生退化
发布时间:2024/6/30 21:44:44 访问次数:104
一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。
高性能650V常闭型d-mode氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。
SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
E-Fuse演示板可在微秒层级检测并中断故障电流，得益于高压固态设计，这比传统机械方法快100至500倍。
快速响应时间可大大降低峰值短路电流，能从几十千安降至几百安，从而防止故障事件导致硬故障。
这款E-Fuse演示板为BEV/HEV OEM设计人员提供了基于碳化硅技术的解决方案，能够更快、更可靠地保护电子设备，从而快速启动开发流程。E-Fuse采用固态设计也减轻了对机电设备长期可靠性的担忧，不会因为机械冲击、电弧或接触反弹而发生退化。
针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。
28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。LM2594MX-5.0/NOPB
其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。
高性能650V常闭型d-mode氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。
SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
E-Fuse演示板可在微秒层级检测并中断故障电流，得益于高压固态设计，这比传统机械方法快100至500倍。
快速响应时间可大大降低峰值短路电流，能从几十千安降至几百安，从而防止故障事件导致硬故障。
这款E-Fuse演示板为BEV/HEV OEM设计人员提供了基于碳化硅技术的解决方案，能够更快、更可靠地保护电子设备，从而快速启动开发流程。E-Fuse采用固态设计也减轻了对机电设备长期可靠性的担忧，不会因为机械冲击、电弧或接触反弹而发生退化。
针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。
28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。LM2594MX-5.0/NOPB
其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。
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